ＳｉＣ昇華結晶成長において、坩堝は、間隔を隔ててＳｉＣ原料とＳｉＣ種結晶とが充填され、邪魔板は、成長坩堝内の種結晶の周囲に配置されている。成長坩堝内の邪魔板の第１側面は、ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長する成長領域を画定する。成長坩堝内の邪魔板の第２側面は、ＳｉＣ単結晶の周囲の気化ガス捕獲トラップを画定する。ＳｉＣ原料を昇華させて、ＳｉＣ種結晶上へ気化ガスを析出することにより、ＳｉＣ結晶を成長する成長領域に移送する気化ガスを形成するような成長温度に坩堝は加熱される。この気化ガスの一部は、ＳｉＣ結晶の成長中に成長領域から取り除かれる気化ガス捕獲トラップに入る。 （もっと読む）

物理的気相輸送成長システムは、ＳｉＣ原料及びＳｉＣ種結晶を間隔を隔てて収容する成長チャンバと、該成長チャンバ内に配置された少なくとも一部がガス透過性の覆いとを備えている。該覆いは、該ＳｉＣ原料を含む原料区画と該ＳｉＣ種結晶を含む結晶化区画とに該成長チャンバを分離する。該覆いは、該結晶化区画において該ＳｉＣ種結晶上へのＳｉＣ単結晶の昇華成長中に発生する気化ガスと反応可能な材料で形成され、該ＳｉＣ種結晶上への該ＳｉＣ単結晶の成長中に追加のＣ源として振舞うＣを有する気化ガスを生成する。 （もっと読む）

坩堝は、坩堝の上部の上方に離間して配置された第１の抵抗ヒータと、坩堝の底部の下方に離間して配置された第１の抵抗部及び坩堝の側部の外周に離間して配置された第２の抵抗部を有する第２の抵抗ヒータとを備える。坩堝には、種結晶と坩堝の底部の間に間隔を設けつつ、種結晶が坩堝の内側の上部に原料が坩堝の内側に供給される。原料を昇華させ種結晶上に凝集させるのに十分な温度の温度勾配を坩堝の内側に生じさせるのに十分な程度の電力を第１の抵抗ヒータ及び第２の抵抗ヒータに印加することで成長結晶を形成する。
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（ａ）温度勾配の存在下でＳｉＣ単結晶を種結晶上に成長させる物理的蒸気輸送（ＰＶＴ）工程であって、ＳｉＣ単結晶の初期の成長部分が、ＳｉＣ単結晶の後期の成長部分よりも低温下であるような工程を含むＳｉＣ単結晶の製造方法。一旦成長すると、該ＳｉＣ単結晶は、逆の温度勾配の存在下で焼きなまされ、そこでは、該ＳｉＣ単結晶の後期の成長部分が、ＳｉＣ単結晶の初期の成長部分よりも低温下とされる。 （もっと読む）

【解決手段】 ＳｉＣブールの成長において、底部にＳｉＣ原料が装填され、頂部にＳｉＣ種結晶が装填された成長るつぼの内部に成長ガイドが提供される。成長ガイドは、この成長ガイド内の開口部の少なくとも一部を画定する内層と、るつぼ内で内層を支持する外層を有する。開口部は原料に面し、種結晶は、原料と反対側の開口部の端部に位置する。内層は、外層を形成する第２の異なる材料よりも高い熱伝導率を有する第１の材料から形成される。成長ガイド内の開口部を介して、成長るつぼ内で種結晶上に原料を昇華成長させ、それによって種結晶上にＳｉＣブールを形成する。
【効果】本ＳｉＣ昇華結晶成長方法により、従来技術の誘導直径拡大成長の欠点、すなわち、蒸気による成長ガイドの浸食、ガイドの内表面上での多結晶ＳｉＣの堆積、および成長結晶のガイドへの付着が回避または排除される。 （もっと読む）

結晶成長方法において、種結晶８及び原料物質４が、成長ルツボ６内に、間隔を空けた関係で載置される。その後、結晶の成長のための開始条件が成長ルツボ６で確立される。開始条件は、成長ルツボ６内における適切なガス、成長ルツボ６内におけるガスの適切な圧力、及び、原料物質が昇華して、成長ルツボ６における温度勾配を介して、種結晶に輸送されて、そこに昇華した原料物質が凝結するような成長ルツボ６における適切な温度からなり、結晶１４の成長中、成長ルツボ６におけるガス、成長ルツボ６における圧力、及び成長ルツボ６における温度の成長条件のうち少なくとも一つを成長ルツボ６内で間欠的に変更するステップからなる方法。
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被検査物検査システムは、透過経路に沿って光子を出力するための光子源と透過経路を完全に通り抜けるように被検査物を平行移動させるためのコンベアを含む。通過する被検査物との相互作用に応じて透過経路から散乱する光子を検出するために、放射線検出器は透過経路に対してオフセットして配置される。コントローラは、被検査物内に存在する第一の物質を検出された散乱光子から決定する。 （もっと読む）

物理的蒸気輸送方法及びそのシステムにおいて、源物質と種結晶とが空間的に関係して入れられた成長チャンバーが備えられている。カプセルの内部と外部との間に伸びた少なくとも１つの毛細管を有する少なくとも１つのカプセルもまた備えられているが、そこでは、カプセルの内部にはドーパントが入れられている。各カプセルは前記成長チャンバーに組み込まれている。各カプセルの組み込みに続いて前記成長チャンバーで行われる成長反応を経て、結晶は、前記源物質を用いて前記種結晶の上で形成されるが、そこでは、該形成された結晶は前記ドーパントがドーピングされる。 （もっと読む）

半導体放射線検出結晶（７２）が入射放射線又は入射粒子を電気信号に変換する。該結晶（７２）には、該結晶との間で挟む異方性導電材料（１０）を介して、電気信号を処理電子機器（７７）に伝達するための第一の基板（７４）が接合される。結晶（７２）は、第一の基板（７４）の上に形成された導電パッド（７５）の配列と対向して置かれるピクセル（７３）の配列を備え得る。異方性導電材料（１０）は、各ピクセル（７３）と対応する導電パッド（７５）との間に電気的パスを形成し、各電気的パスは、それぞれ他の電気的パスから絶縁される。
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放射線検出システムは、放射線事象を当該放射線事象のエネルギーに関連する振幅を有する電気信号に変換し（１，２）、前記電気信号の少なくとも一部を当該電気信号の振幅に関連するカウント値に変換し（３，６）、前記カウント値から前記放射線事象のエネルギーを測定する（５）。
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