【課題】種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】成長炉内に、原料からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なる出力を放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーで発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているＳｉＣ単結晶の製造装置より濡れ性の低い多結晶発生阻害部が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置。 （もっと読む）

【目的】ＳｉＣ基板を大面積化しても、ＳｉＣ基板上に形成されるエピタキシャルＳｉＣ膜のドーピング濃度分布を均一化することができるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置を提供すること。
【構成】両端に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管内に断熱材を介して第一ホットウォール２と第二ホットウォール７が中心軸方向に並べて配置され、第一ホットウォール２に設けられる反応室空間内にＳｉＣ結晶基板４を取り付ける支持部材が配置され、該第一ホットウォール２に対向する位置の前記耐熱円筒管の外周に前記第一ホットウォール２を誘導加熱する装置が設けられ、前記第二ホットウォール７は、内部に前記耐熱円筒管の軸に平行な方向に設けられるガス流路であって、一端が反応ガス流入口に接続されて流入する反応ガスを整流し、他端は前記第一ホットウォール２内の前記反応室空間に通じるガス流路を備えるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、欠陥の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】 成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から、所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させる炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）