【課題】ヒータ寿命が長く、且つ、到達温度が高い結晶成長装置を実現する。
【解決手段】結晶基板支持部１０は、蓋部１２と、アルミナスリーブ１４と、石英管１６と、を備えている。蓋部１２の上には結晶基板１００が載置され、上方から原料ガスが導入される。アルミナスリーブ１４は、円筒状をなしており、その円筒の一方端には蓋部１２が配置される。さらにこの一方端の内部には第１の平面ヒータ１８ａと、第２の平面ヒータ１８ｂとが重畳して取り付けられている。第１の平面ヒータ１８ａと第２の平面ヒータ１８ｂとは電気的に直列に接続されており、同じ電力の場合、電流値を小さく電圧値を大きくすることができる。電流値が小さくなるので、電源コード等を細くすることができ、さらに水銀接点等の発熱を抑制できる。さらに、平面ヒータ１８を２枚で構成したので、発生する熱量をより多くすることができ、高温をより容易に実現可能である。 （もっと読む）