【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長（PECVD）窒化シリコン（SiN）及び炭窒化シリコン（SiCN）薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式：
［RR¹N］_xSiR³_y（R²）_z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R¹、及びR³が、水素、C₁〜C₁₀アルカン、アルケン、C₄〜C₁₂芳香族であり得；各R²が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。 （もっと読む）

本発明は、新規なポストメタロセン型リガンド化合物、前記リガンド化合物を含む金属化合物、前記金属化合物を含む触媒組成物とその製造方法および前記触媒組成物を利用したオレフィン重合体の製造方法を提供する。本発明によれば、活性に優れた特殊ポリオレフィン系ポリマー製造用触媒を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】脂肪族ポリカルボナートの合成において高い触媒活性を示す触媒及び触媒システム、並びに当該触媒を用いた脂肪族ポリカルボナートの製造方法の提供。
【解決手段】式（I）：


（式中、Ｒ¹の少なくとも１つは−Ｓｉ（Ｒ²）₂−Ｒ³−Ｘであり、Ｒ⁴は、各ベンゼン環上の０〜３個の置換基であり、Ｙは、２個の炭素原子を介して２個のイミノ窒素を連結する二価の連結基であり、Ｚはアニオン性配位子である。）で表されるコバルト錯体、及び当該コバルト錯体の存在下で、エポキシド化合物と二酸化炭素を共重合させる方法。 （もっと読む）

本発明は、金属触媒、好ましくはＮｉ（ＩＩ）の塩および／または錯体を用いた、テルビナフィンおよびその類似体の合成方法に関する。 （もっと読む）