第４族元素を含む化合物及びその製造 | 第４族元素を含む原料化合物上の結合又は基（原料化合物） | 第１〜３族元素含有基（単純な塩を除く）（←含Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）（例；Ｐｈ−ＳｉＨ２−Ｎａ）

Fターム［4H049VS95］の内容

第４族元素を含む化合物及びその製造 (22,055) | 第４族元素を含む原料化合物上の結合又は基（原料化合物） (1,607) | 第１〜３族元素含有基（単純な塩を除く）（←含Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）（例；Ｐｈ−ＳｉＨ２−Ｎａ） (11)

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電子素子または光電子素子におけるブロッキング層、電荷注入層、電極材料、記憶材料、または半導体層自体としての、ｎ−ドーパントの前駆物質の、有機半導体材料をドーピングするための使用。ここで、上記前駆物質は以下の化学式１〜３ｃ：
【化１】

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