本発明は、苛性ソーダを含むアルカリ加水分解によって測定される式（１）


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は独立して水素またはＣ_１〜Ｃ_１２−アルキルであるか、またはＲ^１およびＲ^２が全体でＣ_４〜Ｃ_１２−アルキリドあり、Ｒ^３およびＲ^４は独立して水素、Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ^３およびＲ^４はそれらが接続している炭素原子と全体でシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成する。）のカルバメート誘導体の割合が０．０１〜１５０ｐｐｍであることを特徴とするポリカーボネートに関する。
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【課題】 耐熱性の良い（ビニル重合体−ポリラクトン）系ブロック共重合体の製造方法の提供。
【解決手段】 下記一般式（I）：
【化１】


（式中、Ｒはノルボルニル基、アダマンチル基等を示す。）で表されるメタクリレート単位を含む、ビニル系重合体を主体とするブロックセグメント(A)と、ポリラクトンを主体とするブロックセグメント(B)から構成されるブロック共重合体の製造方法であり、ハロゲンを含有する複合系重合開始剤を用いたリビングラジカル重合を適用してブロックセグメント(A)となる重合体を製造し、最終的にブロックセグメント(A)とブロックセグメント(B)から構成されるブロック共重合体を得る、製造方法。 （もっと読む）

【課題】高荷重での流動性が改良され、さらに良好な色相を有するので、押出による加工及び射出成形、特に高融体強度及び押出物の優れた形状保持特性を有する材料を必要とするブロー成形による中空部分及び大型パネルや異形押出によるシートの用途に好適な分岐化芳香族ポリカーボネートを提供する。
【解決手段】エステル交換法により得られる粘度平均分子量１６，０００以上の芳香族ポリカーボネートであって、ＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．８〜４．５の範囲内であり、原料の芳香族ジヒドロキシ化合物骨格を有する構造単位１モルに対する分岐構造単位の合計モル数の比が０．３ｍｏｌ％を越え０．９５ｍｏｌ％以下である芳香族ポリカーボネート。 （もっと読む）

半導体装置の製造に用いられる波長の光に良好な光吸収性を示し、高い反射光防止効果を持ち、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜のための反射防止膜形成組成物を提供する。具体的には、窒素原子上の置換基としてヒドロキシアルキル構造を有するトリアジントリオン化合物、オリゴマー化合物又は高分子化合物、を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物である。 （もっと読む）

エステル結合を含み、過剰のジオールの存在下で作製された液晶ポリマー（ＬＣＰ）の特性は、ＬＣＰをジカルボン酸で高温において処理することによって改善される。得られたＬＣＰは、成形用樹脂としておよびフィルム用に有用である。 （もっと読む）