Fターム[4J030CB15]の内容
硫黄、リン、金属系主鎖ポリマー (6,776) | 主鎖に形成される結合 (268) | リンを含有しない化合物の反応によるもの (172) | 硫黄を含有する化合物の反応によるもの (3) | 反応により−S−結合が形成されるもの (2)
Fターム[4J030CB15]に分類される特許
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金属イオン架橋ホスホン酸化フラーレン及びその製造方法、それを含むプロトン伝導膜
【課題】燃料電池用プロトン伝導膜を製造するのに有用な、ホスホン酸基やスルホン酸基を有する不溶化された化学修飾フラーレンを提供する。
【解決手段】有機化合物が実質的に結合していない化学修飾フラーレンのホスホン酸基が、セリウムイオン又はマンガンイオンで架橋された金属イオン架橋ホスホン酸化フラーレンであり、該ホスホン酸基は部分構造H−C−C−PO(OH)2の形で1〜12個含まれる金属イオン架橋ホスホン酸化フラーレン。
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電子装置及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
【課題】微粒子と有機半導体分子との結合によって構成される導電路を、一層簡素に、短時間にて形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所謂ボトムゲート/ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造方法、基体11上にゲート電極12を形成した後、基体11及びゲート電極12上にゲート絶縁層13を形成し、次いで、ゲート絶縁層13上にソース/ドレイン電極14を形成した後、ソース/ドレイン電極14間に、導電路23から成るチャネル形成領域15を形成する工程から成り、このチャネル形成領域15を形成する工程は、導体又は半導体から成る微粒子を含む溶液と有機半導体分子とを混合することによって、微粒子と有機半導体分子とが結合(反応)して成るクラスター20を得た後、該クラスター20をソース/ドレイン電極14の間のゲート絶縁層13の部分に配置する工程から成る。
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