【課題】簡便な方法によりキャリア移動度が高い半導体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表わされる金属錯体からなる半導体薄膜。一般式（Ｉ）中、Ｍは遷移金属原子を含有する基を、Ｌは配位子を表わす。Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、ヘテロ原子又はヘテロ原子を含有する基を表わす。Ｂ^１−Ｑ（Ａ^１）（Ａ^２）−Ｂ^２は、共役系を構成している。ｍは、０〜４の整数であり、ｎは、正の整数である。
【化１】
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陰極と陽極との間に有機層を少なくとも１層有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層の少なくとも１層に下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも一つ含む重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。一般式（１）〔式中、Ａｒ１は置換基を有していてもよいアリーレン基又はヘテロアリーレン基を表し、ｎ１は２以上の整数を表し、Ｌ１は２価の連結基を表す。〕
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