無電解コバルト又はニッケルめっき浴中のクエン酸塩錯化剤の濃度を、遊離フッ化物イオンの微量濃度を含有する無電解めっき浴のサンプルを、硝酸ランタン標準液で滴定することにより判定する。滴定の間、Ｌａ^＋イオンは最初に優先的にクエン酸塩錯化剤と、その後フッ化物イオンと反応し、遊離フッ化物イオン濃度を低減させる。滴定の終点は、遊離フッ化物イオンにおける実質的減少により示唆され、フッ化物イオン特異電極（ＩＳＥ）を介して検出される。本方法は、他の錯化剤の分析に用いることができる。
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【課題】 金属酸化物と導体膜との間の良好な密着性を確保し、かつ導体損失を低減させて共振特性を向上させることのできるようにした。
【解決手段】 表面の平滑なセラミック素体１を作製した後（ａ）、Ｚｎの酸化還元電位よりも電気化学的に卑な電位を有する両性金属の金属イオン、例えばＡｌ^３＋、Ｓｉ^４＋を添加したＺｎ溶液を調製し、セラミック素体１をＺｎ溶液に浸漬して該セラミック素体１の表面にＺｎ皮膜２を形成し（ｂ）、この後、無電解めっき処理を施してＺｎ皮膜２上にめっき皮膜３を形成する（ｃ）。 （もっと読む）