Fターム[4K024BA00]の内容

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Fターム[4K024BA00]に分類される特許

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【課題】点光源のX線源を用いても、X線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第1のメッキ層を形成する工程と、前記第1のメッキ層の上に、応力を発生する第2のメッキ層を形成し、前記第2のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、基板中心の成膜レートを上げての膜厚の均一性を確保することができる電解メッキ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の電解メッキ装置は、メッキ槽1の上方及び下方に上下一対の環状磁石6,7を設け、半導体基板4上下軸及び半導体基4中心軸対象のカスプ磁界を印加する磁場印加手段を備えたものである。 (もっと読む)


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