【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）

グロー放電を用いて、基体上にプラズマ重合された付着を生成させる方法を記載する。グロー放電は電極と対電極との間に発生させる。バランスガス及びテトラアルキルオルトシリケートの混合物がグロー放電を通って基体上に流れ、基体上に、光学的に透明な被膜として、被膜を付着させるか、又は表面改質を生じさせる。この、好ましくは大気圧又はその近傍で実施する方法は光学的に透明で、粉末を含まないか又は事実上粉末を含まない被膜を生成するように設計することができる。
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コロナ放電によって支持体上にプラズマ重合堆積を生成する方法を記載する。コロナ放電は電極と支持体を支持する対電極との間に発生される。バランスガスと作動ガスとの混合物は、電極を速やかに貫流し、コロナ放電によってプラズマ重合し、光学的に透明な被覆として支持体上に堆積する。この方法は、大気圧下又はその近くで実施するのが好ましく、表面改質、耐薬品性及び気体遮断性のような性質を支持体に与える、光学的に透明な粉体を含まない又は粉体をほとんど含まない堆積層を生成するように設計することができる。 （もっと読む）