薄膜製造方法が提供される。基板チャンバ内に提供される。チャンバ内に第１反応ガス及び第２反応ガスが供給される。第１反応ガスが解離されて結晶性ナノ粒子を形成する。第２反応ガスを利用して基板上に非結晶性物質の形成が抑制される。そして、基板上に提供された結晶性ナノ粒子から結晶性薄膜を形成する。
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本発明は、原子層蒸着法において、基材上または多孔性固体の中あるいは上に銅膜を形成するための新規な原子層蒸着法に関する。 （もっと読む）