【課題】キャパシタの容量絶縁膜に用いる金属シリケート膜のシリコンと金属の膜厚方向の分布を工夫することで、熱工程を受けた時の結晶化を抑制することで電流リークパスを抑制し、キャパシタ容量Ｃｓの向上を可能とする。
【解決手段】金属シリケート膜１０１の膜厚方向において膜の内部側より膜の界面側で、金属シリケート膜１０１を構成するシリコンの組成比が金属の組成比と比較して高く、前記金属シリケート膜１０１の膜厚方向において膜の界面側より膜の内部側で、金属シリケート膜１０１を構成する金属の組成比がシリコンの組成比と比較して高いものである。 （もっと読む）

【課題】 全体として低いｋをもつＩＬＤを提供し、ＩＬＤに内在する接着性の欠陥に対する抵抗性だけでなく、ＩＬＤと基板との間の良好な接着性を提供する構造体と方法を提供すること。
【解決手段】 全般的に低い誘電率、半導体基板への良好な接着、及び熱循環によるクラッキングへの良好な抵抗性を有する、半導体デバイスのための誘電体層（１２）である。誘電体層（１２）は、誘電率の勾配をもつ誘電体層を提供するために、誘電体材料の堆積条件の連続的変化を含むプロセスによって生成される。 （もっと読む）