【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】表面処理温度が低い場合であっても、基材との密着性の高い被覆層を形成することができる、チタンまたはチタン合金からなる基材の被覆方法を提供する。
【解決手段】チタンまたはチタン合金からなる基材の表面を活性化する活性化処理工程と、活性化された前記基材の表面に被覆層を形成する基材被覆工程と、からなり、前記基材の活性化および前記被覆層の形成を該基材の温度が３００℃を超えない条件下で行う。
前記基材は、少なくともＶａ族元素を含む合金元素群と主な残部であるチタン（Ｔｉ）とからなるＶａ族元素含有チタン合金からなるのが好ましく、特に、前記合金元素群が、ジルコニウム（Ｚｒ）とタンタル（Ｔａ）とニオブ（Ｎｂ）とからなるチタン合金に効果的である。 （もっと読む）

【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に対して均一なエッチング処理の可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。基板保持部材１は、エッチング作用をなす化学種３の密度分布に沿うように複数の基板４を保持可能な形状を有し、各基板４のエッチング処理を均一化する。例えば基板保持部材４はその形状が、円、楕円、双曲線又は放物線の回転対称体の一部をなすドーム状である。 （もっと読む）

【課題】 酸化シリコン層の欠陥を取り除くことにより、凹凸型面の欠落がない成形型を得ることが可能な樹脂製光学部品用の成形型の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に酸化シリコン層３と金属マスク層とレジスト層とを積層し、電子ビーム描画法によりレジスト層を露光して複数の突起状のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにしてレジストパターンおよび金属マスク層を非選択的かつ異方的にエッチングし、エッチング後の金属マスク層をマスクにして酸化シリコン層を選択的かつ等方的にエッチングする際において、基板１上に第１酸化シリコン層３ａおよび第２酸化シリコン層３ｂを順次積層してから、この積層体を第２酸化シリコン層３ｂの層厚以上の研磨量で研磨して酸化シリコン層３とすることを特徴とする樹脂製光学部品用の成形型の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 三次元形状のコントロールを充分に行うことができる使い勝手のよいシリコン構造体製造方法、モールド金型製造方法、成形部材製造方法、シリコン構造体、インクジェット記録ヘッド、及び、画像形成装置を得ることを課題とする。
【解決手段】 パターンニングされた酸化膜１１４が形成された側からシリコン基板１１２に異方性エッチングと等方性エッチングとを交互に繰り返すことにより、窪み１４４よりも溝底側にテーパ状に広がる側壁面１１９を形成する。この後、酸化膜１１４を除去し、突起部分１４６を除去する。 （もっと読む）