Fターム[4M104DD17]の内容
半導体の電極 (138,591) | 製造方法(特徴のあるもの) (30,582) | コンタクトホール又は電極析出部の形成 (4,254) | 孔開け、又は除去する絶縁膜の材料 (2,744) | 窒化Si (742)
Fターム[4M104DD17]に分類される特許
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配線構造、その製造方法、および表示装置
【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 SiO2により構成されたゲート絶縁膜12およびその上に積層され、SiNにより構成された層間絶縁膜13に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第1の保護金属層170と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層172と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜12よりも厚く形成された第2の保護金属層174とがこの順で積層された電極53を形成する。
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表示素子用配線、これを利用した薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているAg合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線22,24,26及びデータ配線65,66,68を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。
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