Fターム［4M104EE03］の内容
半導体の電極 (138,591) | 絶縁膜（特徴のあるもの） (8,323) | 絶縁膜の適用位置 (3,412) | 電極下 (1,572) | ゲート絶縁膜 (1,401)
Fターム［4M104EE03］に分類される特許
1,401 - 1,401 / 1,401
半導体装置及びその製造方法
【課題】 化合物半導体、シリコン半導体で形成したＭＩＳ型構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と金属酸化物からなるゲート電極との界面に、金属酸化物から解離した酸素を含む層からなる絶縁層を備える。この絶縁層は、電極を形成した後、熱処理を行うことによって形成する。
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