【課題】コンタクトホールの一部が素子分離領域上に配置された構造の半導体装置において、短絡及び接合漏れ電流の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置５０は、半導体基板１０における活性領域１０ａを取り囲むように形成された溝１５ｂに素子分離絶縁膜１５ａが埋め込まれた素子分離領域１５と、活性領域１０ａに形成された不純物領域２６と、半導体基板１０上を覆う層間絶縁膜２８と、層間絶縁膜２８を貫通し、活性領域１０ａ上及び素子分離領域１５上に跨って形成されたコンタクトプラグ３４と、少なくともコンタクトプラグ３４下方において、不純物領域２６上に形成された金属シリサイド膜３３とを備える。素子分離領域１５は、コンタクトプラグ３４の下方において、素子分離絶縁膜１５と活性領域１０ａとの間に設けられた保護絶縁膜３５を更に有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速動作を具現することができる埋込型ビットラインを備える半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】このための本発明の半導体装置は、トレンチを備える基板と、前記基板内に形成され前記トレンチ側壁に接する金属シリサイド膜と前記トレンチ側壁に形成され前記金属シリサイド膜と接する金属性膜からなる埋込型ビットラインとを備えており、上述した本発明によれば、金属シリサイド膜と金属性膜からなる埋込型ビットラインを提供することによって、従来のシリコン配線形態の埋込型ビットラインに比べて、その抵抗値を顕著に減少させることができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。
【解決手段】このコンタクト層を、ｎ型不純物によりドープされた下層とノンドープの上層から成る構成とした。これにより、たとえ界面電荷が存在する場合であっても、電流の通り道であるｎ型不純物によりドープされた下層とは充分離れた位置にあることとなる。よって、コンタクト層と絶縁膜との界面準位に起因する負電荷によるコンタクト層上部の空乏化に伴う電流の通り道となる部分の狭窄を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面１ａを有するガラス基板１と、主表面１ａ上に設けられ、チャネル領域１１と、チャネル領域１１の両側に位置するソース領域９およびドレイン領域１３とが形成されたポリシリコン膜７と、ポリシリコン膜７に接触するように設けられたゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７を介してチャネル領域１１に向い合う位置に設けられたゲート電極２１とを備える。ポリシリコン膜７は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有する。ソース領域９およびドレイン領域１３は、ポリシリコン膜７の頂面７ａからポリシリコン膜７の底面７ｃにまで達して形成されている。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極である第１ソース電極と第１ドレイン電極は、ゲートのリセスエッチングのためのマスクとしての窒化膜を開口して形成されるため、窒化膜との間に隙間Ｇが形成される。このためガルバニック効果によりオーミック電極端部のキャップ層がエッチングされ、オン抵抗が増大する問題がある。
【解決手段】初期窒化膜を全面除去した後、オーミック電極を形成し、キャップ層とオーミック電極の段差を密着して覆う第１窒化膜を形成する。ゲートのリセスエッチングは、第１窒化膜をマスクとして行うと、オーミック電極の端部に隙間Ｇが形成されない。従って、ガルバニック効果を抑制し、オン抵抗の増大を抑制できる。 （もっと読む）