Fターム[4M104HH14]の内容
Fターム[4M104HH14]に分類される特許
781 - 783 / 783
微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置
【課題】 半導体装置の表面にさらに微細なパターンを形成することができる微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板6上に、特定の元素を含む特定のガスに接触して特定の元素と結合し所定のエッチングガスに対する耐性が強化される性質を有するレジスト層9を形成する工程と、レジスト層9に第一の露光10を行い、第一の露光領域9bと第一の非露光領域9aとを形成する工程と、第一の露光領域9bに対して第二の露光11を行い、第二の露光領域9cと第三の露光領域9dとを形成する工程と、レジスト層9を特定のガスにさらして第三の露光領域9dのみを特定の元素と結合させる工程と、第二の露光領域9cと第一の非露光領域9aとをエッチングにより除去し第三の露光領域9eからなるレジストパターンを形成する工程とを備えた。
(もっと読む)
半導体装置とその製造方法
【課題】 微細トランジスタと高耐圧トランジスタの線幅バラツキを低減する。
【解決手段】 P型の半導体基板1上の段差部を境にしてP型ウエル2及びN型ウエル3が形成されたものにおいて、段差低部に形成される前記P型ウエル2上に第1線幅を有する第1のトランジスタ(微細トランジスタ)が形成され、段差高部に形成される前記N型ウエル3上に第1のトランジスタよりも線幅の太い第2線幅を有する第2のトランジスタ(高耐圧トランジスタ)が形成されていることを特徴とする。
(もっと読む)
MOSトランジスタ
【課題】 再現性の高い工程を用いて低抵抗のゲート電極を有するGOLD構造を構成できるようにし、それにより、微細化が可能であるとともに信頼性の高いMOSトランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体基板1に形成したソース及びドレイン領域10a,10bと、酸化膜3bを介して形成したゲート電極5と、前記ソース及びドレイン領域10a,10bとチャネル形成領域30の間に前記ソース及びドレイン領域10a,10bを取り囲むソース及びドレイン低濃度領域6a’,6b’とを有するMOSトランジスタにおいて、前記酸化膜3bを介して前記ソース及びドレイン低濃度領域6a’,6b’に接する導電性である2つのサイドスペーサ9aと、前記ゲート電極5及び前記サイドスペーサ9a上に形成された導電性薄膜15とを有する。
(もっと読む)
781 - 783 / 783
[ Back to top ]