【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するためのアッセンブリを提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】少ない労力でプラズマチャージ量が基準値より多いか否かを評価することができるようにする。
【解決手段】プラズマチャージ評価基板を、半導体装置の製造工程で使用されるプラズマに曝露する工程と、プラズマチャージ評価基板を調べることにより、プラズマが基板に与えるプラズマチャージ量を評価する工程とを具備する。プラズマチャージ評価基板は、半導体基板１に形成された放電領域１ａと、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２に形成され、放電領域１ａ上に位置する接続孔２ａと、層間絶縁膜２上に形成されたアンテナ用導電膜３と、層間絶縁膜２上に形成され、接続孔２ａを介してアンテナ用導電膜３と放電領域１ａとを接続するヒューズ用配線４とを備える。ヒューズ用配線４が溶断している場合には、プラズマチャージ量が基準値より多いと評価する。 （もっと読む）