【課題】配線溝へのめっきの埋め込み性を安定させることができる半導体装置の製造方法等を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、めっき処理によって金属膜を埋め込んで検査パターン１０を形成する形成工程と、検査パターン１０の特性を検出する検出工程と、検出工程によって検出された検査パターン１０の特性に基づいて、前記めっき処理の条件を調整する調整工程とを含む。前記形成工程は、３層以上の配線層１１〜１３に亘って形成され、かつ中間層にスタックドビア２２を有するパターンを、前記検査パターン１０として形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁領域と導電領域が形成されている試料面の観察を高コントラストで行い、且つ、欠落欠陥や開放欠陥の検出と欠陥種類の分類を容易なものとする技術を提供すること。
【解決手段】導電領域の輝度が絶縁領域の輝度よりも高い条件下で画像の取得と、絶縁領域の輝度が導電領域の輝度よりも高い条件下で画像の取得とを行い、これらの画像に基づいて、試料面上の欠落欠陥と開放欠陥の双方を高い精度で検出する。この方法は、絶縁領域と導電領域を有する試料面に材料コントラストが最大となる照射エネルギ（ＬＥ）の撮像電子ビームを照射するステップ（Ｓ２０３）と、当該撮像電子ビームの照射を受けた試料面から、導電領域の輝度が絶縁領域の輝度よりも高い条件下で画像を取得するステップ（Ｓ２０５）と、絶縁領域の輝度が導電領域の輝度よりも高い条件下で画像を取得するステップ（Ｓ２０７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線層或いはビア層の観察に際し、所望の配線層或いはビア層を容易に識別し特定する。
【解決手段】半導体装置１００は、複数の配線層１〜５と、これら配線層１〜５の間に設けられたビア層１１〜１４と、少なくとも１つの配線層１〜５が何れの層であるかを識別させる識別用アクセサリ６１〜６５と、を有している。識別用アクセサリ６１〜６５は、複数の配線層１〜５のうちの所定の配線層に形成された識別パターン８１〜８５を含む。各識別パターン８１〜８５は、少なくとも１つの配線層１〜５が何れの層であるかを識別させる平面形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーの工程で必要とされるホットスポット検査において、広い観察面積を短時間で観察できる高解像度の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】複数本の電子線１１８で試料１１９上を走査し、それぞれの電子線から放出される２次電子１２０を同一の検出器１１２で取り込むことで、ＳＥＭ画像は複数本の電子線間の相対距離に依存した、位置がずれた画像（ゴースト画像）となる。前記相対距離を調整し、画像処理部１０４で位置ずれを復元することで、画素サイズが大きくても高感度なホットスポット検査装置を実現することができ、広い面積を短時間で観察できる。 （もっと読む）

【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光（アルファ）（ｓ偏光からの角度（アルファ））を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光（アルファ）は、ｐ偏光とｓ偏光との間にある。算出した偏光（アルファ）の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】金属配線断線の際の活性化エネルギーを短時間で直接求めることができる、金属配線評価用パターン、半導体装置及び評価方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に配設した絶縁膜１２上の金属配線評価用パターン１であって、狭窄部２と、狭窄部２の一端に接続した第１配線部３と、狭窄部２の他端に接続した第２配線部４とからなる。金属配線評価用パターン１へランプ電圧を繰り返し印加し、流れる電流から狭窄部２のコンダクタンスを計算し、コンダクタンスが１００Ｇ_０から数百Ｇ_０の相１の状態からコンダクタンスが１０〜６０Ｇ_０の相２の状態を経て、狭窄部２を破壊しナノ接合を形成し、相２の臨界接合電圧（Ｖｃ）のヒストグラムを作成し、ヒストグラムの最頻値の電圧からエレクトロマイグレーションの活性化エネルギーを求めることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の配線の良否を高精度で検査することが可能な半導体基板の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１４に電子ビーム１３を照射し二次電子１６を検出する。信号処理装置１８は、二次電子１６の信号強度に応じて半導体基板１４の被検査面の状態を示す電位コントラスト画像を作成する。制御用計算機１９は、欠陥検査においてノイズ源となる非検査対象の配線の画像を自己生成画像で置き換え、置換処理後のコントラスト画像に基づいて検査対象の配線の欠陥を検査する。 （もっと読む）

【課題】指定された配線の不良位置を自動で検出する装置を提供する。
【解決手段】試料にプローブと電子線を当て試料に吸収された吸収電流の像を利用して、長い配線でも不良位置を自動で検出する装置とその方法。プローブを当てたまま真横へ移動しながら吸収電流画像を取得し、その画像の吸収電流像を基にイメージシフトとステージの両方で補正する。試料回転ステージのないステージでバックラッシュ等の正しい角度で移動しないハード要因を含めて対策し、正確に長い配線の端まで移動しても配線を表示し続け、自動で配線の両端まで数往復する間に不良位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程の加熱処理プロセスにおいて、ウェーハ面内における輻射率など光学特性の差異に起因するウェーハ面内の到達温度のばらつきを抑えるとともに、配線幅などの形状の差異に起因する特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の出力分布でウェーハを熱処理する熱処理ユニット11と、熱処理後の特性分布の目標値の入力部31と、光学特性の分布情報を取得する光学特性情報取得部34と、形状の分布情報を取得するための形状情報取得部33と、熱処理後の所定特性の分布情報を取得するための熱処理後特性情報取得部35と、目標値と、光学特性、形状、所定特性の分布情報と、出力分布を算出するための計算パラメータとを含むデータを保持する記憶部41と、記憶部41に保持されたデータに基づいて、所定特性の分布が目標値加熱源を制御する制御部44とを備える。 （もっと読む）

【課題】上層配線層を除去しなくても下層配線層を検査することができるようにする。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下層配線層及び上層配線層を形成する工程（ステップＳ４０）と、下層配線層及び上層配線層を検査する工程（ステップＳ６０及びステップＳ８０）とを含む。下層配線層及び上層配線層を検査する工程において、下層配線層及び上層配線層に対して斜め方向から光を照射し（ステップＳ６０）、上層配線層の上方から半導体装置を光学的に観察することにより、下層配線層を検査する（ステップＳ８０）。 （もっと読む）

【課題】被検査対象基板上に繰り返して形成される様々な回路パターン上に生じる欠陥または異物を、光学条件に依存せず、正常な回路パターンと弁別して欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】被検査対象基板から取得した画像信号に対して、着目画素を含むその周囲に切り出す着目局所領域と、前記着目画素に対応する複数の対応画素の各々を含むその周囲に切り出す複数の対応局所領域の各々を設定し、該設定された着目局所領域の画像信号と前記局所領域設定ステップで設定された複数の対応局所領域の画像信号との類似度を探索し、該探索される類似度情報を用いて、前記着目局所領域の画像信号に類似する前記対応局所領域の画像信号を複数決定し、該決定した前記複数の対応局所領域の画像信号と前記着目局所領域の画像信号とを比較して総合的に欠陥を判定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターンの３次元形状を大気圧下にて非破壊、非接触、高いスループットをもって高精度に測定することができ、高精度な形状寸法管理がなされた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チップ形成領域１０２内の複数の検査領域に検査用パターンを形成する加工工程１８１と、検査工程とを含み、検査用パターンが、第１検査領域１０３ａに形成された繰り返しパターン１１２と、第２検査領域１０３ｂに形成された一様なパターン１１３とを有し、検査工程が、３次元のパターン形状を測定可能な光学的測定法を用いて、第１検査領域１０３ａにおける繰り返しパターン１１２のパラメータを測定する第１検査と、膜の膜厚を測定可能な光学的測定法を用いて、第２検査領域１０３ｂにおける一様なパターン１１３の膜厚を測定する第２検査とを含むパターン検査工程を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】２次電子像による半導体装置の不具合解析の効率化。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、半導体装置に荷電粒子ビームを照射して得られる２次電子を検出して得られる２次電子像を入力する手段と、比較元となる半導体装置の設計データと、該比較元となる半導体装置の２次電子像とに基づいて、比較元となる半導体装置の２次電子像を電位別の領域に区分けする手段と、前記比較元となる半導体装置の設計データに基いて、前記比較元となる半導体装置の２次電子像の電位別に区分けされた前記各領域の電位濃度分布を計算する手段と、前記電位濃度分布に従って、前記比較元となる半導体装置の２次電子像の前記各領域を着色し、擬似良品２次電子像を生成する手段と、前記擬似良品２次電子像と、解析対象の半導体装置の２次電子像とを、表示する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光（アルファ）（ｓ偏光からの角度（アルファ））を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光（アルファ）は、ｐ偏光とｓ偏光との間にある。算出した偏光（アルファ）の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】
電気的評価を行わなくても、最適なプロセス条件を決定することができる半導体欠陥検査装置、および半導体欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の領域ごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。また、試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の製造プロセスごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】導電性を持つシリコン層と、その上に積層された酸化シリコン膜と、を備えた基板に対して電子線を照射し、当該基板から放出される２次電子の数を検出すると共に、基板を水平方向に移動させることにより、酸化シリコン膜内のコンタクトホールに埋め込まれた金属配線と前記シリコン層とが電気的に接続されているか否かを検査するにあたり、酸化シリコン膜のチャージアップを抑えることのできる技術を提供する。
【解決手段】金属配線が形成された領域においては検査用の加速電圧で金属配線及び酸化シリコン膜に電子線を照射し、一方金属配線が形成されていない領域においては基板に入射される電子の数とこの基板から放出される２次電子の数との差が上記の検査用の加速電圧よりも小さくなる加速電圧で電子線を照射することによって、当該金属配線が形成されていない領域においては酸化シリコン膜のチャージアップを抑える。 （もっと読む）

【課題】吸収電流法による半導体装置の特に、微細・大規模・多様形状の配線の検査において、欠陥箇所の抽出・位置同定を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】検査配線の吸収電流像と、基準配線パターン像との差分処理で欠陥像部分のみを抽出し、さらにこれをＳＥＭ像に重畳する。基準配線パターン像は、正確に形成されたことが確認された基準配線の吸収電流像あるいは検査配線のＣＡＤパターン像からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線構造の欠陥検出において、欠陥部位と正常部位の階調差が大きく、白黒の濃淡の差が明確な試料面画像を取得し、欠陥の検出が容易な試料面観察方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁材料５２、６０と導電性材料５０、５２を含む配線が形成された試料面に電子ビーム１５を照射し、該試料面の構造情報を得た電子を検出することにより、試料面画像を取得して該試料面を観察する試料面観察方法であって、
前記試料面画像における前記絶縁材料と前記導電性材料との輝度を等しくした状態で、前記電子ビームを前記試料面に照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、検査画像を取得するときの電磁波又は荷電粒子線照射の前後において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射しウェーハの帯電状態を変化させる電子線の照射条件に係るパラメータを設定するものであり、ウェーハの一列ダイ毎に、検査画像を取得する前において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射した後、照射の対応部分又はその近傍に検査画像を取得する電磁波又は荷電粒子線の照射を行ない、次いで、検査画像取得の照射した検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射する操作を順次繰り返す。 （もっと読む）

【課題】試料上の微小欠陥を信号にスペックルノイズを発生すること無く、高感度に検出できるパターン欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】ウエハ１面のほぼ同一領域について、２つの検出器７０２を用いて、タイミングを異ならして表面を検出し、２つの検出器７０２からの出力信号を加算し、平均することにより、ノイズを除去するように構成した。このように構成すれば、ウエハ１上の同一領域に多数の照明光を同時に照射することはないので、多数の照明光の干渉によるノイズが発生させることなく、他の原因によるノイズを除去でき、試料上の微小欠陥を信号にスペックルノイズを発生すること無く、高感度に検出できるパターン欠陥検査装置を実現することができる。 （もっと読む）