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Fターム[4M106DA09]の内容

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Fターム[4M106DA09]に分類される特許

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【課題】半導体チップに付された情報を確実に読み取ることのできる、半導体装置、半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の情報読み取り方法を提供する。
【解決手段】集積回路が形成され、印字面を有するチップと、前記印字面の一部の領域に印字された印字部とを具備する。前記印字部は、超音波探傷を用いて前記印字面における他の領域と区別可能な材料により、形成されている。 (もっと読む)


【課題】X線を透過しにくいX線難透過材を用いて、半導体チップの表面にチップIDをマーキングするチップIDマーキング方法及びチップIDマーキング装置において、読取り手段によるチップIDの読取りが正確にできるようにすること。
【解決手段】インクジェット装置等のマーカ装置(15)により、X線を透過しにくいX線難透過材(60)を用いて、半導体チップ(2)の表面に当該半導体チップ(2)に関する情報をコード化しチップID(6)としてマーキングするチップIDマーキング方法であって、X線難透過材(60)の厚さが1μm以上確保されるようにマーキングを行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】樹脂を対象物にストレスを発生させることなく微小量でも安定して塗布できるようにする。
【解決手段】複数の半導体集積回路素子2を形成した半導体ウェーハ1上の特定の電極3に樹脂10を塗布する際に、電極3の近傍に配置した塗布ノズル11より吐出される樹脂を加熱して粘度を低下させるとともに、電極3を前記樹脂の加熱温度よりも低い温度に調節しておき、この温度調節された電極3上に前記加熱された樹脂10を吐出する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ一括プロービング検査後に通常プロービング検査を実施する場合でも、ウェーハ一括プロービング検査のために塗布した不導体樹脂の剥がれや飛散を防止する半導体装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の複数の半導体装置において、各半導体装置のパッド電極を少なくとも2つの領域に分離するパッド電極分離層を設ける。事前検査で不良であると判定された半導体装置に対しては、パッド電極分離層によって分離した領域の予め定めた領域に不導体樹脂を塗布し、その不導体樹脂がパッド電極上の他の領域に侵入するのをパッド電極分離層によって阻止する。そして通常プロービング検査は、パッド電極上の別の領域を用いて行う。 (もっと読む)


【課題】NG認識マーカーの位置ずれを防止し、該位置ずれによる製品不良の発生を回避できる集積回路を得る。
【解決手段】表面保護層の開口部から露出する複数の電極パッドを有し、不良品であった場合はNG認識マーカーが付される集積回路において、複数の電極パッドとは別個に、表面保護層の開口部から露出してNG認識マーカーの付与位置を指定するNGマーカー用パッドを設けた。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置のテスト時間の短縮を図る。
【解決手段】 半導体ウェハ上に形成された複数の半導体素子の各々に対する検査をウェハテストで行い、各半導体素子の各々の半導体ウェハ上の座標位置データとウェハテストの結果とを対応付けて保存(データベース1)し、半導体ウェハをダイシングし個片化した半導体素子を各々パッケージ内に組み込んでから最終テストを行う製造方法において、パッケージ内に半導体素子を組み込むとき半導体素子の半導体ウェハ上の座標位置データとパッケージに刻印されているマークとを対応付けた関連付けデータを生成して保存(データベース2)しておき、最終テストを行うときにパッケージのマークから関連付けデータを参照して求めたパッケージ内の半導体素子に対するウェハテストの結果を求め、最終テストで行うテスト項目のうちウェハテストの結果を利用できるテスト項目の実施をスキップする。 (もっと読む)


【課題】欠陥検査装置で特定された欠陥は、他の装置を用いて解析が行われる。他の装置での欠陥位置の特定は、ビットパターンがウエハ上に数百個配列されているような場合は手作業でカウントしなければならないため、非常に困難で欠陥位置の誤認識も招く。また欠陥位置の特定に時間がかかるので、欠陥の解析結果がでるまでに時間がかかる。つまり製造ラインへのフィードバックが遅れ、スループットを低下させている。
【解決手段】欠陥検査装置で検出された欠陥の周辺に、レジストを用いてマーキングを形成する。
【効果】欠陥検査装置で検出された欠陥を、解析装置で正確に簡便に特定することができるため、短時間で解析結果が得られる。そのため、製造ラインへのフィードバックが早くなり、歩留まりが向上し、コスト低減に繋がる。 (もっと読む)


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