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Fターム[4M109DB04]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 構造 (1,232) | 放熱部材一体形 (272) | 放熱部材外部絶縁形 (27)

Fターム[4M109DB04]に分類される特許

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【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子16と、各半導体素子16で生じる熱を放出する放熱部15と、少なくとも半導体素子16を覆う絶縁部材14とを備える半導体モジュール10において、絶縁部材14は、半導体モジュール10の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材14は半導体モジュール10の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部15と絶縁部材14との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材14の剥離を抑止することができる。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂の剥離を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ20と、一面10aを有すると共に一面10aに導電性部材搭載領域を有し、導電性部材搭載領域に半導体チップ20が導電性部材30を介して搭載される搭載部材10と、搭載部材10の少なくとも一部および半導体チップ20を封止するモールド樹脂40と、を有し、搭載部材10の一面10aのうちモールド樹脂40と接する部位が凹凸形状とされている半導体装置において、搭載部材10のうちモールド樹脂40と接する部位の表面に水酸化物13を形成する。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板2と、ベース板2の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子3と、ベース板2の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層4aと、絶縁樹脂層4aの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層4bと、金属層4bの他方の主面が露出するようにベース板2、パワー半導体素子3及び絶縁樹脂層4aを被覆して筐体を形成する樹脂筐体5とを有するパワーモジュール1と、一主面に少なくとも1つの凸状段差部7bが形成され、凸状段差部7bの少なくとも上面において金属層4bの露出面に半田により接合される冷却器7とを備えた半導体装置であって、凸状段差部7bの上面の面積が金属層4bの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ベアチップで発生した熱の放熱性が悪化する課題がある。また、放熱性を改善するために、ヒートシンクを露出するように封止樹脂に埋設すると剥離やクラック発生の課題がある。
【解決手段】自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置において、発熱回路素子(ベアチップ)下部に回路基板及びベースを貫通する開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結したことを特徴とする放熱構造とした。 (もっと読む)


【課題】電力用半導体モジュールを樹脂封止する過程、ヒートシンクにハンダ接合する過程などで電力用半導体素子に大きな熱応力が生じると電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題があることから、電力用半導体素子の熱応力の低減が必要である。
【解決手段】導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子にヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆い、電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 (もっと読む)


【課題】高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ2と、ヒートスプレッダ2上に半田層3を介して接合された半導体チップ4とを備え、半導体チップ4とともにヒートスプレッダ2がモールド樹脂によって樹脂封止された構成において、半導体チップの4配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度がモールド樹脂5よりも大きな樹脂材で構成されたガード1を備えている。 (もっと読む)


【課題】異常時の過電流によって半導体チップが発熱した場合に過電流を遮断しやすくすることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】パワートランジスタが形成された半導体チップ10と、コレクタ端子22と、コレクタ端子22と半導体チップ10のコレクタ電極12とを電気的に接続する層間接続部30及び導体パターン40と、半導体チップ10におけるコレクタ電極12の形成面とコレクタ端子22との対向領域において、層間接続部30及び導体パターン40を被覆するとともに、この形成面とコレクタ端子22のそれぞれに接触して設けられるものであり、熱膨張係数が層間接続部30及び導体パターン40よりも大きい材料によって構成された樹脂フィルム51〜53を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子からの熱を有効に放散し、且つ封止樹脂の流動性、充填性を確保する放熱パッケージを提供する。
【解決手段】BGA型半導体装置は、配線と電極を備えた基板1上に、矩形状の平面形状を有し、矩形の各辺に沿って複数の電極を備えた半導体素子2を配置し、半導体素子上の電極と基板上の電極とをワイヤ4で接続し、半導体素子を覆い、半導体素子の各辺に沿った電極に接続された複数のワイヤの頂上部に対向する領域に開口16が形成された放熱部材11を基板上に配設し、半導体素子および前記放熱部材を封止樹脂20で覆って封止する。 (もっと読む)


【課題】特にHIC基板のような大きな基板を用いる樹脂封止型電子装置であっても高い信頼性を確保することができ、かつ安価に製造することのできる樹脂封止型電子装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路を構成した基板10が、ヒートシンク20の上に搭載され、該ヒートシンク20に固定されたリードフレーム30と共にモールド樹脂40で樹脂封止されてなる樹脂封止型電子装置100であって、基板10上に、ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなるコーティング層60aが形成されると共に、リードフレーム30の固定端子部30aが、コーティング層60aと同じポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなる接着層60bによって、ヒートシンク20に固定されてなる樹脂封止型電子装置100とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの周囲が樹脂基板で封止された構造を有する半導体装置において、樹脂基板の反りの発生を防止すること。
【解決手段】表面側に接続電極20aを備えた半導体チップ20と、半導体チップ20の周囲を封止すると共に、半導体チップ20の背面から下側に厚みTをもって形成されて、下面が半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板30とを含む。半導体チップ20の接続電極20aにはんだを介さずに配線層50が直接接続される。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂を含む半導体装置の放熱特性を良好に制御するとともに、品質を向上させる。
【解決手段】半導体装置100は、基板102と、基板102上に搭載された半導体チップ104と、半導体チップ104を封止する封止樹脂110と、半導体チップ104上に配置されるとともに、封止樹脂110と接触して設けられた放熱材料(130)と、を含み、封止樹脂110は、第1の樹脂組成物により構成された第1の樹脂領域112、第2の樹脂組成物により構成された第2の樹脂領域116と、第1の樹脂領域112および第2の樹脂領域116の間に形成されるとともに第1の樹脂組成物および第2の樹脂組成物が混合された混合層114とを含む。 (もっと読む)


【課題】装置構成の複雑化や製造効率の低下等を招くことなく、半導体素子を中心にした上下シンメトリな構成の半導体装置を容易かつ確実に実現できるようにする。
【解決手段】半導体素子2と、前記半導体素子2を上下から挟むように配された上側基板3および下側基板4と、前記上側基板3と前記下側基板4との間に充填されて前記半導体素子2を封止する封止樹脂5と、前記半導体素子2と前記下側基板4との間隔に相当する粒径を有し、少なくとも前記半導体素子2と前記下側基板4との間に介在する前記封止樹脂5に混入される第1の球状フィラー11とを備えて、半導体装置1を構成する。 (もっと読む)


【課題】基板とリード端子とを、配線部材で接続したものをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、基板とリード端子とを予め接着することなく、配線部材をボンディングする際のリード端子の浮き上りを適切に防止する。
【解決手段】リード端子30として、基板10と重なるように基板10の端部より延設された延設部30aを有するものを用い、リード端子30を支持台100上に搭載し、基板10の他方の板面に延設部30aを直接接触させつつ、リード端子30の延設部30aをその上から基板10で押さえつけることにより、リード端子30を固定し、この固定状態でリード端子30と基板10の一方の板面とを配線部材40によって結線し、しかる後、モールド樹脂50による封止を行い、延設部30aと基板10の他方の板面との接触部を、モールド樹脂50で封止して両部材30a、10を固定する。 (もっと読む)


【課題】ホルダと封止樹脂との界面の剥離を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース板と、前記ベース板の上に設けられた半導体素子と、前記半導体素子の前記ベース板とは反対の側に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された端子を保持するホルダと、前記半導体素子を取り囲み、前記ホルダの側面に対向するケースと、前記ベース板と、前記ケースと、前記ホルダと、の間に充填された封止樹脂と、を備え、前記ホルダの前記側面には、前記ホルダの前記ベース板の側とは反対の側の主面の端部よりも前記ケースの側に突出した第1突出部が設けられ、前記第1突出部の前記ベース板とは反対の側の面の少なくとも一部は、前記封止樹脂で埋め込まれていることを特徴とする半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】信頼性を確保しながら放熱性能の向上を図る。
【解決手段】電子部品21a,21b,21cを実装した回路基板22の裏面にベース26を接着すると共にベース26の下面に放熱板28を接着して、樹脂封止部30により回路基板22とベース26と放熱板28の上下面を覆うと共に樹脂封止部30の下面側に千鳥足状に配列する円形の複数の開口部30aを形成する。これにより、電子部品21a,21b,21cの発熱を回路基板22とベース26と放熱板28とを順に介して複数の開口部30aから効率良く放熱することができると共に樹脂封止部30の開口部30aが形成されていない部位で放熱板28を保持して放熱板28と樹脂封止部30との界面剥離が生じるのを抑制することができる。この結果、信頼性を確保しながら放熱性能の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】外部から与えられる押圧力による半導体素子の破壊が防止された半導体装置および半導体モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置10は、アイランド12と、アイランド12の上面に実装された半導体素子20と、外部接続端子として機能するリード14と、これらを一体的に被覆して機械的に支持する封止樹脂16とを主要に備えた構成となっている。更に、封止樹脂16を貫通して貫通孔22が設けられており、この貫通孔22の周辺部の封止樹脂16の上面は平坦な平坦部24とされる。そして、半導体素子20と重畳する封止樹脂16の上面は、平坦部24よりも内側に窪む凹状部18とされている。 (もっと読む)


【課題】放熱性を確保するために、高放熱樹脂と低応力樹脂を使用して樹脂封止するように構成しながら、2種類の樹脂の密着性を十分に確保する。
【解決手段】本発明の電子回路装置1は、発熱部品6、8が装着されたリードフレーム2を備え、リードフレーム2の放熱する側の面を覆うようにモールドされた高放熱樹脂13を備え、発熱部品6、8、リードフレーム2および高放熱樹脂13を覆うと共に、高放熱樹脂13の放熱面が露出するようにモールドされた低応力樹脂14を備え、更に、低応力樹脂14でモールドする際に、高放熱樹脂13を半硬化状態に保つように構成したものである。 (もっと読む)


【課題】生産効率、コストを維持しながら、半導体装置の実装時における熱収縮による内部応力に起因する半導体装置の反りを低減し、高耐熱性を実現することを目的とする。
【解決手段】半導体装置下方に突起5がダイパッド11を中心として上下の厚みが同じになるよう形成され、インナーリード3iの上下も同様に厚みを同じに形成されるよう細工した金型を用いて成型された封止体10で構成することにより、コスト、生産効率を維持しながら半田耐熱を向上し、実装時の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】放熱性等の品質が向上された回路装置を提供する。
【解決手段】上面に混成集積回路が組み込まれた回路基板11の下面に溝16を設ける。溝16を設けることにより、回路基板11の下面を被覆する封止樹脂14と回路基板11との接触面積が増大する。従って、回路基板11の下面と封止樹脂14との界面の熱抵抗が減少する。このことから、半導体素子15A等の回路素子から発生した熱は、回路基板11およびその下面を被覆する封止樹脂14を経由して、良好に外部に放出される。 (もっと読む)


【課題】無駄なスペースを最小限にして半導体装置を小型化することを目的する。
【解決手段】リード端子21を有する金属からなるフレームと、フレームのダイパッドの上面に搭載されたパワーチップと、フレームのICチップ搭載部に搭載されたICチップと、ダイパッドの上面と対向する下面側に設置された絶縁性の絶縁シート7と、リード端子21を突出させ、絶縁シート7の下面を外表面に露出させ、かつ、ICチップ及びパワーチップを封止し、絶縁シート7よりも熱伝導率の小さなモールド樹脂とを含む半導体装置において、絶縁シート7は、一部または全部の角部42が面取りされた部位41を有するものとする。 (もっと読む)


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