【課題】 超電導単一磁束量子集積回路装置に関し、バイアス電流の戻り電流およびバイアス電流自身がチップ内のＳＦＱ論理回路に与える影響をなくす。
【解決手段】 チップ内の超電導単一磁束量子集積回路に直流バイアス電流を供給するバイアス電源線と、チップの外部に前記直流バイアス電流を回収するためのバイアス引き抜き電源線とを設け、バイアス引き抜き電源線の終端は前記チップ内にレイアウトされた超電導単一磁束量子集積回路周辺で複数の０．１ミリオーム乃至１オームの抵抗値を有する薄膜抵抗からなる抵抗体を介してチップのグランド面に接続し、グランド面との接続点から直流バイアス電流を引き抜く。 （もっと読む）

【課題】下部電極を大きくすることなく、より多くのフォノンを下部電極に到達させてフォトンの検出効率を向上できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。
【解決手段】超伝導トンネル接合検出器において、基板１１の上面には、下部電極３１、トンネルバリア３３及び上部電極３５が順に積層されてなる超伝導トンネル接合素子１３が設けられ、基板１１内で発生したフォノンに基づいてフォトンを検出する。基板１１の上面には下部電極３１を囲むように金属膜１２が埋め込まれている。これにより、基板１１内で発生して基板１１内を伝播するフォノンの拡散が低減され、より多くのフォノンが下部電極３１に到達してフォトンの検出効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー高分解能でかつ放射線の撮像を可能とすると同時に高検出効率で高速の超伝導体放射線センサーを提供することである。
【解決手段】超伝導トンネル接合を用いた放射線センサーにおいて、単結晶基板上に共通の不感領域を取り囲まない７個以上の超伝導直列接合で検出素子を構成する、あるいは中心にエネルギー測定用の超伝導直列接合を設け、その外側に入射位置測定用の４つ以上の超伝導直列接合を設けて検出素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ４を用いて、基板をエッチングして懸架型素子を形成した場合、トンネル接合及び島電極が悪影響を受け、十分な電荷分解能等が得られないと言う欠点があった。
【解決手段】基板上に、アッシングより除去できるレジストによって形成されたレジスト台部を設け、レジスト台部上に、トンネル接合及び島電極等の素子部を形成する。素子部をレジスト台部上に形成した後、レジスト台部をアッシングにより除去し、基板をＣＦ４等によりエッチングすることなく、懸架型素子を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した状態でより高密度に記憶保持が行える超伝導デジタル回路用のメモリ装置を実現する。
【解決手段】ジョセフソン接合ＪＪ₁，ＪＪ₂，ＪＪ₃，ＪＪ₄，ＪＪ₅、コイルＬ₁₂，Ｌ₂₃，Ｌ₃₄，Ｌ₄₅、抵抗Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃（＝Ｒ_M），Ｒ₄，Ｒ₅、電圧端子Ｔ₁，Ｔ₂，Ｔ₃，Ｔ₄，Ｔ₅を備え、所定の電圧が印可される電圧端子Ｔ₃とコイルＬ₂₃及びコイルＬ₃₄の間の接続ノード（第２接続ノード）との間に抵抗Ｒ_M（第２抵抗）が接続し、この接続ノードにジョセフソン接合ＪＪ₃（第３ジョセフソン接合）が接続している。ジョセフソン接合ＪＪ₃は、接続ノードと接地との間に接続されている。 （もっと読む）

それぞれのエネルギー状態Ｅ₀およびＥ₁（ただし、常にＥ₀＜Ｅ₁）に関連する２つの状態｜＞０および｜１＞を有する量子ビット再初期化装置は、量子ビット装置に隣接して配置され、一定量のエネルギーをこの一定量がある値ΔＥ_envに等しいときにのみ吸収することが可能である散逸手段（２１）と、エネルギー差ΔＥ₀₁＝Ｅ₁−Ｅ₀を、散逸手段が吸収できない初期値ΔＥ₀₁から散逸手段により吸収されることが可能な値ΔＥ′₀₁＝ΔＥ_envに一時的に変調することが可能な第２の結合手段（２１、３２）を備える。 （もっと読む）