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Fターム[4M113AA22]の内容

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Fターム[4M113AA22]に分類される特許

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【課題】温度を一定に保持したまま超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体を用いた圧力検出装置を提供する。
【解決手段】圧力検出装置30は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜11〜14のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜12〜14を電流計242,252,262によって検出し、その検出した超伝導体薄膜12〜14の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器10内の圧力として検出する。 (もっと読む)


【課題】 複数の水銀系超電導膜を備えた超電導積層体およびその製造方法、超電導積層体を有するジョセフソン接合素子および電子装置を提供する。
【解決手段】 超電導積層体10は、基板11と、基板11上、第1超電導膜12と、絶縁膜13と、第2超電導膜14が順次積層して構成され、第1超電導膜12および第2超電導膜14が水銀系超電導膜からなり、絶縁膜13がCeO2、SrTiO3、(LaAlO30.3−(SrAl0.5Ta0.530.7(LSAT)、および(SrAl0.5Ta0.530.7(SAT)から選択される。第1超電導膜12と、絶縁膜13と、第2超電導膜14は、それぞれ下地に対してエピタキシャル成長してなる。 (もっと読む)


【課題】 同一チップ内あるいは異なるバッチ間において、ジョセフソン接合の特性のばらつきを十分に抑制し、さらに接合特性の再現性・制御性の向上を図る。
【解決手段】 第1の酸化物超伝導体層を形成した後、前記第1の酸化物超伝導体層の表面にダメージを与えることによってダメージ層を形成し、このダメージ層を大気に晒すことなく、前記ダメージ層上に第2の酸化物超伝送体層を形成して、第1の酸化物超伝導体層−障壁層−第2の酸化物超伝導体層を有するジョセフソン接合を作製する。 (もっと読む)


【課題】 超電導回路装置及びその製造方法に関し、工程を工夫することによって、平均表面粗さを安定した回路動作が可能な程度まで小さくするとともに、高速動作化を可能にする。
【解決手段】 高温超電導体からなるグランドプレーン2上に、第1の絶縁層3を介して高温超電導体からなるジョセフソン素子4を設けるとともに、グランドプレーン2の側端面をジョセフソン素子4のカウンター電極7を覆う第2の絶縁層10と直接接触させる。 (もっと読む)


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