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Fターム[4M113AC02]の内容

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【課題】磁束揺らぎに対して敏感な超伝導回路に使用される超伝導配線では、磁束雑音を抑制することが必要であり、超伝導磁気センサの測定雑音限界の改善や超伝導量子ビット回路における磁束雑音を抑制し、超伝導量子ビット回路の量子コヒーレンス向上に寄与する超伝導配線、磁束雑音の抑制方法、磁束センサ及び超伝導量子ビット回路を提供する。
【解決手段】超伝導配線の超伝導体層101の上下表面及び端面を磁気秩序層として機能する反強磁性絶縁体層102または強磁性絶縁体層で被覆した。 (もっと読む)


集積回路が量子コンピューティングに好適な温度で動作させられる場合の、遮蔽領域内に配置された少なくとも2つのデバイス間の磁場相互作用を遮蔽領域において制限するための、集積回路の遮蔽領域内の超伝導遮蔽を含む量子コンピューティング用集積回路。
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【課題】磁性体の磁化状態を制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】微小磁性体と超伝導体とを近接して配置することによって、微小磁性体から生じる磁場を超伝導体に渦糸として侵入させる。そして、超伝導体に電流を流すことによって、渦糸を移動させ微小磁性体の磁化状態を制御する。微小磁性体の形状としては細線形状、リング形状、ディスク形状などを採用することができる。微小磁性体が細線形状およびリング形状であり多磁区構造を取る場合は、電流供給により磁壁の位置を制御する。微小磁性体がディスク形状であり単一磁区構造の場合は、電流供給により磁化の向きを制御する。 (もっと読む)


複数のキュビットを具備する量子システムを使用した、量子計算のための方法が提供される。システムは、任意の所与の時間において、初期化ハミルトニアンHによって特徴付けられる構成と、問題ハミルトニアンHによって特徴付けられる構成とを含む、少なくとも2つの構成のうちの任意の1つに存在してもよい。問題ハミルトニアンHは最終状態を有する。キュビットの中の各それぞれの第1のキュビットは、キュビットの中のそれぞれの第2のキュビットに対して、それらが所定の結合強度を画定するように配置される。複数のキュビットの中のキュビット間の、所定の結合強度は、解かれるべき計算問題を集合的に定義する。本方法では、システムはHに初期化され、次に、問題ハミルトニアンHの最終状態によってシステムが記述されるまで、断熱的に変化させられる。次に、システムの状態は、σパウリ行列演算子のオブザーバブルをプローブすることによって読み取られる。
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【課題】 大規模なRAMの構成においても超高速で且つ超低消費電力を実現可能とする。
【解決手段】 超伝導RAMの構成は、メモリセルアレイにアクセスするワード線、ビット線等の駆動線及びセンス線のそれぞれを複数のブロックに分割し、そのブロック内の信号伝搬にはそれぞれ負荷駆動能力の高いレベル論理のドライバ回路及びセンス回路を有するブロック内信号伝搬回路(DR)3を用いており、更に、長距離のブロック間の信号伝搬には高速動作が可能な単一磁束量子(SFQ)素子で構成された超伝導パッシブトランスミッションライン(PTL)2を使用している。その結果、全体としての高速動作を可能にする。これにスプリッタ(S)又はコンフルエンスバッファ(C)、及びラッチ回路(DL)を追加して用いることができ、更にバイナリーツリー構成を採用してもよい。 (もっと読む)


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