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Fターム[4M113AC11]の内容

Fターム[4M113AC11]の下位に属するFターム

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Fターム[4M113AC11]に分類される特許

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【課題】誘電体障壁を用いない超伝導スイッチング素子を提案する。
【解決手段】超伝導層ごとのスピン交換相関作用が最大となるように、超伝導層と常伝導層の厚みを最適化することによって、常伝導層が、あたかも、絶縁体を配置したように働く。その状態では、半導体超格子と同様にBloch共鳴が発生し、Gate層の電子状態を変調すること、または、外部環境からのSingle−eventsを導入することにより、スイッチ動作を可能にする。 (もっと読む)


【課題】THz帯において、数mW程度の連続高出力発振が可能で、種々の計測や分析に使用することができるジョセフソン素子、すなわち、ジョセフソンスターエミッタを提供する。
【解決手段】ジョセフソン素子において、メサ1を、半導体、絶縁体、または、完全導体からなる基板2上に構築して構成する。 (もっと読む)


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