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Fターム[4M114DB47]の内容

Fターム[4M114DB47]に分類される特許

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【課題】はんだに含まれる成分(In,Bi,Sn,Pb)の超電導層への拡散が抑制される。
【解決手段】基板32と、基板32上に形成された中間層34と、中間層34上に形成された超電導層36と、超電導層36上の少なくとも一部に、金属微粒子を焼結することで形成された金属微粒子焼結層40と、金属微粒子焼結層40上に、In,Bi,Sn,およびPbから選ばれる少なくとも一種を含むはんだ42によって接合された電極44と、を有する超電導素子。 (もっと読む)


【課題】交流通電の超電導機器や永久電流スイッチに用いられる超電導線材同士の電気的接続において、低い接続抵抗と高いクエンチ耐性とを兼ね備えた接続構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の超電導多芯線材41の母材が除去されて露出した第1の超電導フィラメント6の先端領域と、前記第2の超電導多芯線材42の母材が除去されて露出した第2の超電導フィラメント6の先端領域とは、かしめ接続されたジョイント部1を構成し、前記露出した第1の超電導フィラメント6の残りの領域と、前記露出した第2の超電導フィラメント6の残りの領域とは、被覆部材5を介して接続されたバイパス部2を構成し、前記被覆部材5は、前記接続構造体の運転環境下において、前記交流通電用または永久電流スイッチ用の超電導線材4の母材よりも電気抵抗率が低い金属材料からなることを特徴とする。 (もっと読む)


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