赤色光、緑色光および青色光用の２画素検出方式を含むＣＭＯＳ結像デバイス。１つの画素が、赤色光および青色光を検出し、別の画素が緑色光を検出する。赤色および青色の検出は波長に基づき、またこのデバイスは、赤色／青色画素中で青色光の検出が浅い基板深さで行われ、赤色光の検出がより深い基板深さで行われるような構造になっている。この画素アレイは、赤色／青色画素が緑色画素に隣接し、赤色／青色画素と緑色画素とが交互に配列されるような構造になっている。本発明は、このような結像アレイおよび画素を形成する方法にも関する。
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【課題】デジタルカメラ等に使用されるＭＯＳ型撮像チップとＤＳＰチップのチップセットに関するもので、高性能で高付加価値なチップセットを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、入射光を光電変換し得られた電気信号を増幅する増幅型単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と単位画素を駆動するドライバ回路を有する撮像チップ２２０と、撮像チップ２２０から出力される信号を信号処理し、所望の信号に変換するデジタル信号処理チップいわゆるＤＳＰチップ２２１からなるチップセットにおいて、ＤＳＰチップ２２１はＣＭＯＳで構成されており、撮像チップ２２０のトランジスタはｎＭＯＳ型又はｐＭＯＳ型のみの低リーク電流構造のトランジスタから構成される。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードのリーク電流を低減する。
【解決手段】 ｐ型半導体層102内に形成されたｎ型半導体領域103を有するフォトダイオードと、フォトダイオードと隣接する素子との間に形成された素子分離絶縁膜104と、素子分離絶縁膜の下部に形成されたｐ型半導体層102よりも高濃度のチャネルストップ領域106と、素子分離絶縁膜上の一部に配線層105が形成されている光電変換装置において、配線層105が素子分離絶縁膜を挟んで対向する領域の少なくとも一部にチャネルストップ領域106よりも高濃度のｐ⁺暗電流低減領域を設けた。 （もっと読む）