【課題】高画質な画像を取得することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部２１と電荷保持部２３との間の、第１転送ゲート２２により制御可能な第１転送経路１５０と、光電変換部２１と電荷保持部２３との間の、第１転送ゲート２２により制御されない第２転送経路１４０とを備える。空乏状態において、第１転送経路１５０の電位は、第２転送経路１４０より低い電位で、かつ、光電変換部２１及び電荷保持部２３からみた第１転送経路１５０及び第２転送経路１４０以外の障壁より高い電位である。 （もっと読む）

【課題】蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るため、有効な画素数を損なうことなく偽信号を低減でき、かつ、画素面積の縮小化が図られたグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、全画素同時の露光期間が終了した後、低照度信号を第２電荷蓄積部２８に転送し、高照度信号を第１電荷蓄積部に転送する。そして、低照度信号、及び高照度信号の読み出しの前に、第３電荷蓄積部１８の偽信号を読み出す。この偽信号を用いて低照度信号及び高照度信号の信号量を補正することにより、偽信号が低減された精度のよい画像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を備える電子機器において、画素の回路を複数画素で共有し、画素の小型化が図られた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置１を備える電子機器５０において、固体撮像装置１は、複数の画素で複数の画素トランジスタを共有する画素アレイ部を備える。そして、電子機器５０は、静止画の撮影において露光期間の終了時を決定するメカニカルシャッタ６１を備える。これにより、蓄積部が複数画素で共有されているにも関わらずグローバルシャッタ可能な、小型高解像度の電子機器が提供できる。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供すること。
【解決手段】 画素部と周辺回路部とを有する固体撮像装置の製造方法であって、画素部と周辺回路部に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、光電変換部の第２の絶縁膜をエッチングする工程とを有する。そして、固体撮像装置の製造方法は、光電変換部のエッチングされた第２の絶縁膜と周辺回路部の第２の絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と、周辺回路部の金属膜を除去し光電変換部に金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 遮光性能を向上させた電荷保持部を有する固体撮像装置、及びそれを用いた撮像システムを提供する。
【解決手段】 半導体基板に配された光電変換部と、電荷保持部と、フローティングディフュージョン部と、半導体基板上に配され、光電変換部と電荷保持部との間に配された第１のゲート電極と、半導体基板上に配され、電荷保持部とフローティングディフュージョン部との間に配された第２のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、電荷保持部の上と、少なくとも第１のゲート電極と第２のゲート電極のいずれかの上に配された第１の部分と、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に配され、前記半導体基板の表面側に前記第１部分から延在した第２の部分とによって構成される遮光部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の深部に存在する光電子が、熱拡散により半導体基板の表面側に浸入することを防ぐことが可能な受光装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子が第１導電型半導体基板上に形成された受光装置は、前記第１導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを備え、前記光電子保持部には、前記第１導電型半導体基板の第１導電型不純物濃度よりも高い第１濃度の前記第１導電型の第１導電型不純物領域が、前記第１導電型半導体基板の表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光源の強度や環境光に依存しない信頼性の高い距離情報を取得することができる測距システムを提供する。
【解決手段】照射装置と固体撮像装置と演算部とを備える測距システムであって、前記固体撮像装置は、第１照射タイミングで照射された照射光の反射光を第１受光期間及び第２受光期間で受光するとともに、第２照射タイミングで照射された前記照射光の前記反射光を、第３受光期間及び第４受光期間でそれぞれ受光し、前記演算部は、前記第１受光期間〜前記第４受光期間で得られた光電子数を用いて、測距対象までの距離を算出し、前記第１受光期間及び前記第３受光期間は、前記反射光が前記固体撮像装置に到達してから該反射光の強度が最大になるまでの時間を含み、前記第２受光期間及び前記第４受光期間は、前記固体撮像装置に到達する前記反射光の強度が減少してから該反射光の前記固体撮像装置への到達が終了するまでの時間を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子で発生した光電子の転送の際に、光電変換素子に残留する光電子数を軽減させるとともに、光電子の転送の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、３値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記３値の電圧は、少なくとも、第１電圧と、前記第１電圧より高い第２電圧と、前記第１電圧より大きく且つ前記第２電圧より小さい第３電圧とを有する。 （もっと読む）

【課題】過大光が入射しても故障しない積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、基板１０上方の光電変換部Ｐと、光電変換部Ｐで発生した電荷に応じた信号を読みだす回路Ｓとを含む画素１０１を複数有する。回路Ｓは、基板１０内に形成され画素電極２１に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部１０と、電荷蓄積部１０の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ３２とを含む。電荷蓄積部１０は、画素電極２１と電気的に接続される電荷蓄積領域１１と、領域１１の隣に離間して形成される電荷蓄積領域１３と、領域１１と領域１３とを、断面ポテンシャルにおいて、所定の電位よりも高い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以下の電位においては電気的に接続する領域１２とにより構成され、出力トランジスタ３２は領域１３の電位に応じた信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が発生した光電子を４方向に振り分けて読み出すことができるとともに、リセットノイズを正確に除去することができる単位画素及び固体撮像装置並びに単位画素の信号加算方法を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子に変換する光電変換素子を有する受光装置を備える単位画素であって、前記受光装置は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを含む複数の光電子振分部を有し、前記単位画素は、前記浮遊拡散層の電位を基準電位にリセットするためのリセット用トランジスタと、前記光電変換素子に発生した前記光電子を排出する光電子排出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素の駆動精度を低下させることなく、高速に連続してグローバルシャッタ動作を行う固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子を有する単位画素が１次元又は２次元に配列された画素アレイと、前記単位画素に与えられる信号電圧を選択的に切り換える切換スイッチと、第１信号電圧、第１信号電圧より高い第２信号電圧、及びその第３信号電圧を、前記切換スイッチを切り換えて選択的に前記単位画素に印加して前記単位画素を駆動する画素駆動部とを備え、前記画素駆動部は、前記第１信号電圧と前記第２信号電圧とを交互に前記複数の単位画素に印加するとともに、前記第１信号電圧から前記第２信号電圧に切り換える際、及び、前記第２信号電圧から前記第１信号電圧に切り換える際に、前記単位画素に前記第３信号電圧を経由して印加することで、複数の前記単位画素の前記光電変換素子に発生する前記光電子の蓄積、保持、転送、リセット、排出のいずれかを一斉に行う。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板２０と、異なる波長帯を検出可能な２以上の画素１と、２以上の画素１の各々に設けられた３以上の転送電極７とを備えている。２以上の画素１は、第１の画素１ａと第２の画素１ｂとを含んでいる。３以上の転送電極７は、第１の厚みｔ１を有する第１のゲート電極７ａ、第１の厚みｔ１とは異なる第２の厚みｔ２を有する第２のゲート電極７ｂ、および仮想電極７ｃを少なくとも含んでいる。第１の画素１ａ内と第２の画素１ｂ内とにおいて、第１のゲート電極７ａのゲート長Ｌ１と第２のゲート電極７ｂのゲート長Ｌ２と仮想電極７ｃのゲート長Ｌ３との比率が異なっている。 （もっと読む）

【課題】ラインレートを犠牲にすることなく、飽和電荷量を高めることが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、光感応領域１５と、電位勾配形成領域１７と、をそれぞれ有すると共に、所定の方向に交差する方向に沿うように併置された複数の光電変換部３と、光電変換部３にそれぞれ対応し且つ光感応領域１５の平面形状を成す他方の短辺側に配置され、対応する光電変換部３の光感応領域１５で発生した電荷を蓄積する複数のバッファゲート部５と、複数のバッファゲート部５からそれぞれ転送された電荷を取得し、所定の方向に交差する方向に転送して出力するシフトレジスタ９と、を備え、バッファゲート部５は、所定の方向に沿って配置されると共に所定の方向に向かってポテンシャルを高くするように所定の電位がそれぞれ与えられる少なくとも二つのゲート電極を有する。 （もっと読む）

【課題】動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行う。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード（PD）６１と、PD６１に蓄積された電荷を保持するメモリ部（MEM）６５と、MEM６５の電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域（FD）６７と、PD６１からMEM６５に電荷を転送する第１転送ゲート６４と、MEM６５からFD６７に電荷を転送する第２転送ゲート６６と、FD６７の電荷をリセットするリセットトランジスタ６８とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。単位画素５０は、第１転送ゲート６４のオン時に、MEM６５とFD６７との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルを、MEM６５から溢れた電荷がFD６７に転送されるようなポテンシャルとなるように駆動する。本発明は、例えば、動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行うCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において隣り合うフォトダイオードを分離する分離領域の幅を小さくする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板と、半導体基板の第１の面側に位置する、第２導電型の第２半導体領域と、第２半導体領域内で半導体基板の第１の面側に位置し、第２半導体領域とともに第１のフォトダイオードを構成する第１導電型の第３半導体領域と、半導体基板の第１の面側に位置し、第２半導体領域の隣に位置する第２導電型の第４半導体領域と、第４半導体領域内で半導体基板の第１の面側に位置し、第４半導体領域とともに第２のフォトダイオードを構成する第１導電型の第５半導体領域と、を具備し、第２半導体領域内の第１分離領域及び第４半導体領域内の第２分離領域は、半導体基板の第１の面に垂直な方向に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置においてフォトダイオードの面積のばらつきに伴う不都合を抑制しつつ、２つの画素間でリセットトランジスターを共有化する。
【解決手段】第１の色の光を受光する第１のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第２の色の光を受光する第２のフォトダイオードと、第２のフォトダイオードの第２の方向の隣に配置された第１の色の光を受光する第３のフォトダイオードと、第３のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第３の色の光を受光する第４のフォトダイオードと、第１及び第２のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第１のリセットトランジスターと、第３及び第４のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第２のリセットトランジスターと、を具備し、第１のフォトダイオードの面積と第３のフォトダイオードの面積との差が小さい。 （もっと読む）

【課題】残像が抑制され、画素の微細化が可能なグローバル電子シャッタを有するＭＯＳ型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素部１００を備える固体撮像素子であって、画素部１００は、半導体基板１と、入射光を光電変換して信号電荷に変換するＰＤ３と、ＰＤ３の隣に形成されるＳＤ４と、ＳＤ４の隣に形成されるＦＤ５と、ＦＤ５の隣に形成されるリセットドレイン９と、ＰＤ３とＳＤ４との間に形成され、信号電荷をＰＤ３からＳＤ４に転送する第１の転送ゲート６と、ＳＤ４とＦＤ５との間に形成され、信号電荷をＳＤ４からＦＤ５に転送する第２の転送ゲート７と、ＦＤ５とリセットドレイン９との間に形成され、ＦＤ５の電荷を排出する第１のリセットゲート８とを備え、ＳＤ４は、第２のリセットゲート１３を備えたリセットトランジスタのソースに接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、残像を抑制することができるグローバル電子シャッタを有するＭＯＳ型の固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素部１００を備える固体撮像素子であって、画素部１００は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され、入射光を光電変換して信号電荷に変換するＰＤ３と、半導体基板１にかつＰＤ３の隣に形成され、信号電荷を一時蓄積するＳＤ４と、半導体基板１にかつＳＤ４の隣に形成されるＦＤ５と、半導体基板１上に、ＰＤ３から信号電荷をＳＤ４に転送する第１の転送ゲート６と、ＳＤ４とＦＤ５との間にかつ半導体基板１上に形成され、ＳＤ４が一時蓄積している信号電荷をＦＤ５に転送する第２の転送ゲート７とを備え、第１の転送ゲート６は、ＰＤ３とＳＤ４との間、及び、ＳＤ４の上方に形成されている。 （もっと読む）