【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】多層化した複数層の受光部により複数の色信号を、１画素部で一括して同時に検出した１画素部毎の各層の信号電荷から得ると共に、静止画および動画のいずれであっても鮮明なフルカラー撮像を実現する。
【解決手段】半導体層または半導体基板に交互に一方向に隣接配置されたＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５であって、被写体からの画像光を光電変換する複数層の光電変換部（３層のＰ型注入領域およびＮ型注入領域）が、光電変換部とはバンドギャップの異なる透明層（ＳｉＯ_２膜）をその各間に介在して積層され、一方向に直交する他方向にそれぞれ配置された３層のＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５と、Ｐ型注入領域４およびＮ型注入領域５上に設けられた一方向の複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１と、複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１上に設けられ、入射光を透過または遮光制御する入射光透過／遮光制御手段とを有している。 （もっと読む）

【課題】画素間に遮光パターンを有する色再現性の良好なカラー固体撮像素子に使用するための画素剥がれのない良好な形状のオンチップカラーフィルタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上に複数の光電変換素子を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面に、遮光パターンと複数色の着色透明パターンとを色別に順次平面配置するカラーフィルタ形成工程において、初期遮光パターンを、着色透明パターンの１色目の画素部になる箇所が開口部となるように黒色材料により形成する工程、１色目の着色透明材料を塗布して硬化する工程、１色目の画素部になる箇所を全て含む領域を選択的に覆うようにエッチングレジストパターンを形成する工程、エッチングレジストパターンの開口部に露出する１色目の着色透明材料とその下層の黒色材料とを除去する工程、を含む各工程を順に実施する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤや表面実装部品における反射率を低減させ、より簡単かつ確実にフレアおよびゴーストを抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】プリント配線基板２１上には、被写体を撮像するためのイメージセンサ２２がボンディングワイヤ３１により実装され、さらに表面実装部品２３も実装されており、レンズから入射した光が、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３−１、２３−２で反射してイメージセンサ２２の受光部３２に入射することを抑制するために、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３を黒色のＵＶインクを用いたインクジェット印刷によりコーティングする。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１において裏面（上面）側に形成されたトレンチＴＲ内に、画素分離部３０１を設ける。ここでは、受光面ＪＳに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部３０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】不所望の領域への光の入射を効果的に抑制し、高画質な固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素部１００では、半導体基板１０１内に形成された接続部１０２と、絶縁膜１１０を介して形成された遮光膜１１２と、遮光膜１１２上に形成された下部電極１１３と、絶縁膜１１０を挿通し、接続部１０２と下部電極１１３とを接続するコンタクト配線１１１と、下部電極１１３上に形成された光電変換膜１１４と、光電変換膜１１４上に形成された上部電極１１５とを備える。そして、固体撮像装置は、下部電極の１１３とコンタクト配線１１１とが、遮光膜１１２にそれぞれ対応して設けられた開口を介して接続されており、遮光膜１１２が、絶縁膜１１０上において、開口された箇所を除き、隣接する下部電極１１３間の隙間の全域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】移動する高輝度被写体を撮像した際の軌跡状ノイズの発色を抑制することができるようにする。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素において、半導体基板の上面に、熱酸化膜１６０が形成されている。熱酸化膜１６０の上に、ゲート電極１２２Ａ，１２４Ａ、および１２９Ａが形成されている。そして、ゲート電極１２２Ａ，１２４Ａ、および１２９Ａ並びに熱酸化膜１６０の上面には、絶縁膜１６１が形成され、さらにその上面に遮光膜（タングステン酸化膜）１６２と平坦化膜１６３が積層して形成されている。半導体基板と遮光膜１６２の間の厚みが、光電変換領域に入射する光の波長領域が長波長のものほど薄く形成されている。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子の有効画素領域（撮像部）の周縁に、絶縁性の遮光膜を形成するために用いられる絶縁性遮光膜形成用感放射線性組成物、絶縁性遮光膜の形成方法、絶縁性遮光膜及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、固体撮像素子における遮光性絶縁部を形成するために用いられる絶縁性遮光膜形成用感放射線性組成物であって、チタンブラックと、溶剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】従来の固体撮像装置においては、ある受光部に到達すべき信号電荷が、別の受光部（特に隣接する受光部）に到達してしまうことがある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０、受光部２０、および遮断膜３０を備えている。この固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ１に入射した光を光電変換することにより被撮像体を撮像する。受光部２０は、上記光電変換により生じた信号電荷を受ける。半導体基板１０中の受光部２０が設けられた領域Ｄ１と裏面Ｓ１との間には、遮断膜３０が設けられている。この遮断膜３０は、上記信号電荷の拡散を遮る。 （もっと読む）

【課題】 複数の画素列に対して１つの電荷転送路が形成された固体撮像装置において、電荷転送路が間に形成されていない光電変換素子間で生じる混色を防止することが可能な固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ方向に隣接する画素列１６Ｖの間には、垂直転送レジスタ１８が配置されている。垂直転送レジスタ１８は、Ｙ方向にのびており、複数列の画素列１６Ｖに対して１本ずつ配置されている。電極構造体２２−１及び２２−２の一部は、フォトダイオード１６の間の領域に列方向にのびている。電極構造体２２−１及び２２−２のうち、垂直転送レジスタ１８が間に形成された画素列１６Ｖ間にのびた部分は転送電極２４となり、垂直転送レジスタ１８が間に形成されていない画素列１６Ｖ間にのびた部分は画素間構造体２６となる。画素間構造体２６は、隣のフォトダイオード１６に対応するカラーフィルタを通った光の混入を防止する障壁として機能する。 （もっと読む）

【課題】従来の光学素子に電界効果トランジスタを適用するとき、ＰＮ接合部の光リークを抑えるために、トランジスタの周囲に遮光領域を設定する必要が有り、回路面積が大きくなるという課題があった。また、反射光に対して遮光性が十分でないという問題があった。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、ゲート電極上に、ＰＮ接合部に平面的に重なるように遮光部材を有する。この遮光部材により、ＰＮ接合部を遮光することができる。また、電界効果トランジスタ面積が増大しないため、回路の面積を小さく設定できる。 （もっと読む）

【課題】微細画素での感度の向上を図り、かつ偽信号を低減できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。また、この固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置２１が、光電変換素子を含む画素２が複数配列された有効画素部に、前記画素２間を遮光する非導体からなる画素間遮光膜４３を有する。 （もっと読む）

【課題】画素部の微細化に伴う受光感度特性の劣化およびスミア特性が劣化を抑制すると共に、遮光膜の形成プロセスがなく製造を簡略化することができ、かつ信号読み出し制御をもなくす。
【解決手段】固体撮像素子１は、半導体層または半導体基板２上に交互に横方向に配置され、被写体からの画像光を光電変換する光電変換部となる縦方向の一導電型注入領域としてのＰ型注入領域３および他導電型注入領域としてのＮ型注入領域４と、これらのＰ型注入領域３およびＮ型注入領域４上に設けられた横方向の複数の電荷転送駆動用透明電極（透明電極５〜１０）と、複数の透明電極５〜１０上に設けられ、入射光を透過または遮光制御するための液晶手段としての液晶セルとを有している。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】遮光を兼ねる配線部を銅配線で形成する場合に、縦構造のシュリンクによって十分な遮光性をもたせることが困難になる。
【解決手段】黒基準画素部１１が設けられる遮光画素領域５と、受光画素部１２が設けられる撮像画素領域６と、黒基準画素部１１の遮光を兼ねて遮光画素領域５に形成される第１の配線部３７と、第１の配線部３７と同層で撮像画素領域６に形成される第２の配線部３８とを備える固体撮像装置１の構成として、第１の配線部３７は、第１の配線材料層と、第１の配線材料層の拡散を防止する第１の拡散防止層と、第１の拡散防止層と積層構造をなす遮光材料層３９とを有するものとし、第２の配線部３８は、第２の配線材料層と、第２の配線材料層の拡散を防止する第２の拡散防止層とを有するものとした。 （もっと読む）

【課題】電子カメラに組み込まれて使用される固体撮像素子において、信号量の減少を抑制しつつ、瞳分割性能を向上させて焦点検出精度を高める。
【解決手段】右の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素２Ａは、電荷蓄積部２７Ａの右半分の直上にゲート酸化膜２９を介して光学多層膜２１Ａが形成されている。左の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素２Ｂは、電荷蓄積部２７Ｂの左半分の直上にゲート酸化膜２９を介して光学多層膜２１Ｂが形成されている。これにより、瞳分割位相差方式による焦点検出に際して、信号量が減少してしまう事態を回避すると同時に、クロストークの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】暗電流ノイズを取得する際の撮像条件と、実際に撮像する際の撮像条件とが異なってしまい、十分なノイズ除去の精度を得られない。
【解決手段】撮像部１３は、所定の撮像領域を持ち、その撮像領域に対する入射光を電気信号に変換する。遮光部１２は、撮像領域内の一部の領域に対する入射光を遮光し、それ以外の領域に対する入射光を透過する。駆動部１４は、遮光部１２が遮光する領域を動的に切り替える。駆動部１４は、撮像領域において、奇数ラインが遮光および偶数ラインが透過の状態と、奇数ラインが透過および偶数ラインが遮光の状態とが交互に切り替えられるよう、遮光部１２を駆動してもよい。 （もっと読む）

【課題】画像撮像装置におけるオフセットの補正を高精度に行う。
【解決手段】２つの画像処理基板３３ａ、３３ｂに対応させて２つの補正用領域Ｒ１、Ｒ２を設けるとともに、放射線画像検出器の放射線入射面側において、補正用領域Ｒに対応する部分には放射線を遮蔽する遮蔽板を設けて、補正用信号の取得と画像信号の取得を同時に行えるようにする。画像処理基板３３ａで検出された信号については補正用領域Ｒ１から取得された信号を用いてオフセット補正を行い、画像処理基板３３ｂで検出された信号については補正用領域Ｒ２から取得された信号を用いてオフセット補正を行う。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素から漏れ込む光によって発生する混色を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換がなされるセンサ部１１と、センサ部１１に対応するカラーフィルタ１５と、センサ部１１とカラーフィルタ１５との間に形成される絶縁層１４と、絶縁層１４内に形成される遮光層１７とからなる画素１０を有し、遮光層１７が、絶縁層１４よりも屈折率の低い層によって形成され、画素分離部に沿って、センサ部１１に対して垂直、又は、略垂直に形成されている固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】遮光能力に優れた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 （もっと読む）