複数の光敏感領域と複数の垂直シフトレジスタとを有するインターラインＣＣＤから電荷を読み出す方法であって、各光敏感領域は垂直シフトレジスタのＣＣＤと２行の繰り返しパターンであって各行が前記光敏感領域に広がる少なくとも２つの色を含む繰り返しパターンを有するカラーフィルタと結びついており、前記方法は、前記２行パターンの各々から１行を読み出す段階と、前記垂直シフトレジスタ中の各行の同じ色を足し合わせて解像度を半分に減らす段階と、前記垂直シフトレジスタから電荷を転送することなしに、残りの行に対して読み出す段階と足し合わせる段階とを繰り返す段階と、異なる色が足し合わされないように、前記垂直シフトレジスタ中の前記電荷を読み出す段階と、を有することを特徴とする。

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【課題】 製造時間を短縮し、コストを下げ、歩留まりを向上させると同時に、従来と同等もしくはそれ以上の高画質化が実現される固体撮像装置、当該固体撮像装置から出力される電気信号から色信号を生成する信号処理装置等を提供する。
【解決手段】
受光した光を電気信号に変換する受光素子の上方に絶縁膜を挟んで形成された遮光膜に、当該受光素子が感度を有する波長範囲内における所定の波長以上の光は遮断され、当該所定の波長未満の光は通過する開口部を設ける。 （もっと読む）

複数の画素を有する像センサ。像センサは少なくとも2つ以上の画素は積分時間中に電荷容量を変化させるのに使用される電荷制御構造を有することを特徴とする。また像センサは、画素の光応答曲線の実質的にどの部分も実質的に直線とならないように、実質的な露光時間の開始時では、電荷制御構造又は読み出し機構のいずれかによって実質的にゼロに変化し、かつ、露光時間中を通して、電荷制御構造によって電荷容量は変化することを特徴とする。

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【課題】高感度で高解像力、かつシェーディングが発生しない撮像素子を提供する。さらに、高い光電変換効率を持ち、繰り返し使用時の安定性に優れた撮像素子を提供する。
【解決手段】異なる波長の電磁波を吸収し、光電変換しうる複数の電磁波吸収層、各電磁波吸収層を挟む一対の電極、電荷伝送・電荷読み出し部位、及び該一対の電極の少なくとも一方と電荷伝送・電荷読み出し部位とを連結する複数のコンタクト部位から少なくとも構成される画素ユニットを有する撮像素子であって、画素サイズよりも上記画素ユニットが有する電極の内、両最外側の電極の最外表面間の長さの方が小さい多層積層多画素撮像素子。 （もっと読む）

【課題】 高感度，高解像度，高画質のカラー撮像が可能で、小型で低コストの２板式カラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 ３原色の入射光を緑色と赤色及び青色とに分離する色分解プリズム３５と、プリズム３５によって分離された赤色及び青色の入射光を受光して赤色の光量に応じた赤色信号と青色の光量に応じた青色信号とを出力する第１固体撮像素子３６と、プリズム３５によって分離された緑色の入射光を受光して緑色の光量に応じた緑色信号を出力する第２固体撮像素子３７とを備える２板式カラー固体撮像装置において、固体撮像素子３６の複数の受光部のうち赤色検出用受光部の上部に赤色の光を透過するイエロフィルタを設け、青色検出用受光部の上部に青色の光を透過するシアンフィルタを設ける。 （もっと読む）

本発明は薄膜化されたシリコンの基板上に形成されるカラー画像センサーの製作に関する。センサーはその前面に半導体材料の薄い活性層（１２）を備えた半導体ウェーハ（１０）から製作され、このためにエッチングされた層が活性層の上に形成され、ウェーハがその前面において支持基板（４０）上へ結合され、半導体ウェーハがその背面において薄膜化され、次に材料の層がこのように薄膜化されたその背面において堆積され、エッチングされる。また結合作業の前にその前面においてウェーハ内へエッチングされた狭い垂直溝（２０、２２、２４、２６）が設けられ、これらの溝は薄膜化作業の後に残る残留半導体ウェーハ厚さにほぼ等しい深さにわたってウェーハ内へ延び、該溝は活性層から絶縁された導電性材料で充填され、そして薄膜化された層の前面と背面の間に導電性のバイアホール（２０'、２２'、２４'、２６'）を形成する。該溝の目的は薄膜化されたウェーハの前面と背面の間に電気的接続を確立することである。それらはまた、前面のパターンと背面のパターンの位置合わせ用のマーカーとしても役立つことができる。最後に、それらは活性層の領域をお互いから電気的に絶縁するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 複数回の分割露光により製造した固体撮像素子に見られる感度の段差を補正するために必要な精度の補正係数を簡単な撮影状態で得る。
【解決手段】 感度差の検出において、ノイズ成分の影響を低減する手段を有し、また、感度差検出時の光源、あるいは光学系に起因するシェーディングの影響を除外する手段を有し、また、上記手段で得られた感度差データを曲線近似する事で、過補正の防止と補正データの削減を行う。 （もっと読む）

複数の光学系（１０１〜１０４）に一対一に対応して、その各光軸上に、複数の撮像領域（１０５〜１０８）がそれぞれ配置されている。各撮像領域（１０５
〜１０８）は複数の画素を有している。撮像装置は、更に、撮像領域（１０５〜１０８）のそれぞれの原点を検出する原点検出手段と、原点を基準として各撮像領域（１０５〜１０８）に含まれる複数の画素の位置を特定する画素位置特定手段と、撮像領域（１０５〜１０８）のそれぞれが撮像した複数の画像を合成する合成手段とを備える。これにより、実装が容易で薄型の撮像装置を提供することができる。
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本発明は、半導体撮像素子のパッケージ構造に関し、そのパッケージ構造は、フリップチップバンピング方式により製造される。本発明は、第１実施形態により、金属接着層とめっき用金属層を形成する蒸着工程中に半導体撮像素子の表面温度を常温〜２００℃に維持し、第２実施形態により、応力遮断用ポリマー層により前記蒸着工程で発生する応力を吸収することにより、半導体撮像素子の表面に形成された機能性ポリマー層の特性低下と表面変形を抑制することができる。 （もっと読む）

イメージセンサであって、複数個の画素と、その内部の別々の深さでリリースされた電子がその別々の部位内に集まる基板と、所定波長領域を選択的に吸収する素材から形成され所定画素群を覆う色フィルタアレイと、を備える。色フィルタアレイを通過する波長の光が基板により吸収され、これによってその基板内の別々の深さで電子がリリースされ、リリースされた電子が別々の部位で検知されて領域毎に別々の信号が生成される。

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イメージセンサ画素は、垂直オーバーフロードレイン構造を有し、CMOSイメージセンサのノイズ発生原因となる、基板への電荷の拡散を防止する。追加の化学的機械的研磨ステップを用いることにより、マイクロレンズとシリコン表面間の距離を短くすることができ、光クロストークが抑制される。ある実施例では、Pエピタキシャル層を有するN型基板材料が使用され、垂直オーバーフロードレインが形成される。標準的なCMOS処理工程に、深Pwell注入工程が導入され、NwellとN型基板との間のラッチアップが防止される。Nwell／深Nwellの積層、およびPwell／深Pwellの積層によって、光ダイオードが形成され、特性が向上する。
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第１及び第２の略平坦な表面と、エッジ表面と、第１の略平坦な表面上に形成された半導体回路と、を具備する結晶質基板を含む集積回路ダイを含む一体でパッケージングされた集積回路装置であって、少なくとも１つのチップスケールパッケージングレイヤが、半導体回路と第１の略平坦な表面上に形成されており、絶縁レイヤが、第２の略平坦な表面及びエッジ表面上に形成され、少なくとも１つの導電体が、第２の略平坦な表面上に重なっている絶縁レイヤ上に直接形成されており、少なくとも１つの導電体は、第１の略平坦な表面上に直接形成された少なくとも１つのパッドによって回路に接続されている。
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本発明の様々な実施形態では、オンチップ測定情報を、順番にではなく、ランダムに出力することができ、三次元画像を必要とするオブジェクト追跡、及び他の情報のためのオンチップ信号処理を、すぐに遂行することができる。システム全体は小さく、強固で、かなり少ないオフチップの別個の構成要素を必要とし、かつ、検出信号特性の改善を示す。オンチップ回路は、そのようなTOFデータを使って、場面内の一つのオブジェクト、又は全てのオブジェクト上の全ての点の距離及び速度を、同時に、容易に測定することができる。同様に、オンチップ回路はまた、検出センサ内の各画素における検出画像の分光組成を特定することができる。有利なことに、その個々の画素が分光組成を特定することができるセンサを使用して、さらに、TOF情報を特定することもできる。
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最適化されたカラーフィルタアレイが、一つまたはそれ以上のダマシン層の、内部、上、または下に形成される。カラーフィルタアレイは、その下にあるそれぞれのフォトダイオードに入射する光の特定の波長の強度を最大化するために、装置の層の組合せられた光学特性を最適化するように構成されるフィルタ領域を含んでいる。

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【課題】周辺回路部の配線層を多層化する一方で撮像画素領域における配線層の層数を削減し、シェーディングや混色を抑制する。
【解決手段】フォトダイオード１２１や各種トランジスタ１２２、１２３を設けたシリコン基板１３０上に、撮像画素領域部１００Ａでは３層の配線層１３２〜１３４が形成され、周辺回路部１００Ｃでは５層の配線層１３２〜１３６が形成されている。したがって、撮像画素領域部１００Ａの上層部では、膜厚が小さくなり、その上にカラーフィルタ１３８およびオンチップレンズ１３９が配置されている。この結果、フォトダイオード１２１の受光面とカラーフィルタ１３８およびオンチップレンズ１３９との間の距離が小さくなり、シェーディングや混色を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】広範囲のダイナミックレンジで撮影した画像に適切なシェーディング補正をすることができる固体撮像装置を提供。
【解決手段】デジタルカメラ１０は、固体撮像素子１２を含み、固体撮像素子１２は、撮像部４０を含む。撮像部４０は、複数の受光部４２を含み、各受光部４２は、高感度の受光素子４４および低感度の受光素子４６を含む。高感度の受光素子の画像信号、および低感度の受光素子の画像信号を、それぞれその感度ごとに適切なシェーディング補正を行う。 （もっと読む）

【課題】 インタレース転送方式の撮像素子を用い、モード設定の記録画素数に応じたフィールド数の転送データにより画像処理を行い処理時間を短縮する。
【解決手段】 ＣＣＤ１からの転送データは第１，第２，第３フィールド順に撮像処理部２、信号処理部３を経て記憶部４に格納。各フィールドの転送データは、撮影確認画像，解像度「低」，「中」，「高」設定に応じ、各フィールドの転送完了検出により記憶部４のＲＧＢ信号がＹＵＶ変換部３ｃによりＹＵＶ信号に変換される。この第１フィールドの転送データの撮影確認画像，サムネイル画像は、表示部６に表示され、かつ解像度「低」の時、ＹＵＶ信号が記憶部４から読み出され圧縮処理部３ｄでＪＰＥＧフォーマットに圧縮されたデータにヘッダデータ等が付加され外部記憶部４’に保存。解像度「中」の時、第２フィールドの転送完了で第１，第２フィールドの転送データにより画像処理し、解像度「高」の時、第３フィールドのデータ転送完了で第１，第２，第３フィールドの転送データで画像処理する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤやＣＭＯＳの等のイメージセンサ部上への微小な集光レンズの形成方法において、集光効率の良い設計形状のレンズを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】 ＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサの受光部上側への微小な集光レンズの形成方法であって、イメージセンサの受光部上側に形成された平坦化層上にレジスト膜を塗布し、フォトマスクを介して、レジスト膜を露光し、現像し、レンズ形状にパターニングするもので、前記フォトマスクは、遮光層を持たない透過型のフォトマスクで、被露光部の表面において所望の光強度分布を得るように、各箇所における透過光の位相が所定値幅単位で制御された、表面部に階段部を有する光屈折系の媒体からなる光透過部を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 入射光の利用効率を高めると共に、得られる画像の解像度をより高く実現できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｙｈ補間部４６で、実画素位置に市松状にデータを配置し、Ｇ信号位置では、撮像部から得られるＧ信号を２倍にし、Ｙｅ、Ｃｙ信号位置では自画素と周辺に位置するＣｙ、Ｙｅ信号を５０％の割合で加算し、等価的にＧとＭｇ（マゼンタ）を加算した信号を生成する。そして、データ補正部４４で、ゲイン調整、補色を原色に色変換、ホワイトバランス、ガンマ補正等の各補正が行なわれたＲＧＢの補正データと、Ｙｈ補間部４６によって生成され、Ｈｐｆ５０を介して得られるＹｈ信号とを加算器４８で加算処理する。 （もっと読む）

【課題】 パッシベーション膜を備えた従来のＣＣＤ型またはＭＯＳ型の固体撮像素子を利用した撮像機器では、再生画像に色むらが生じ易い。
【解決手段】 ＣＣＤ型またはＭＯＳ型の固体撮像素子におけるパッシベーション膜の形状を、光電変換素子それぞれの上方に開口部を１つずつ有する形状にする。 （もっと読む）