【課題】半導体装置を構成する部材の熱膨張係数の相違又は封止樹脂の吸湿による膨張等に起因して発生する応力により当該半導体装置が備える透明部材のうち、撮像領域が形成されている部分に対応する部分にクラックが進行することを防止して、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】上面に撮像領域２９が形成された半導体素子２８と、前記半導体素子２８から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材２１と、前記半導体素子２８の端部と前記透明部材２１の端面を封止する封止部材２５と、を備えた半導体装置２０において、前記透明部材２１の、前記半導体素子２８の前記撮像領域２９の外縁に対応する箇所よりも端面側の箇所に、溝部２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】それぞれ行方向Ｘ及び列方向Ｙに正方格子状に配列された多数の低感度ＰＤ１０及び多数の高感度ＰＤ２０を備える固体撮像素子であって、多数の低感度ＰＤ１０と多数の高感度ＰＤ２０は、互いに配列ピッチの１／２だけ行方向Ｘ及び列方向Ｙにずれた位置に配列されている。多数の低感度ＰＤ１０の受光面の上方には、Ｒ，Ｇ，Ｂを透過する３種類の分光フィルタが形成されている。多数の高感度ＰＤ２０の受光面の上方には、光の輝度成分と相関のある分光特性を持った輝度フィルタが形成されている。輝度フィルタは、ＮＤフィルタや、透明フィルタ、白色フィルタ、グレーのフィルタ等が該当するが、多数の高感度ＰＤ２０の受光面の上方に何も設けずに光が直接受光面に入射する構成も、輝度フィルタを設けたということができる。 （もっと読む）

【課題】暗電流を確実に低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】遮光膜２９は、光電変換により信号電荷を生成するフォトダイオード（ＰＤ）１１上に開口部３０を有するとともに、ＰＤ１１から読み出し転送ゲート（ＴＧ）１２を介して送られた信号電荷の転送を行うＶＣＣＤ１３上を覆う。この遮光膜２９の下面には、プラズマＳｉＮ膜やアモルファスシリコン膜などからなる水素供給層２８が設けられている。水素供給層２８内の水素は、アニール時に拡散し、遮光膜２９に遮られることなく、界面準位の消滅に寄与する。 （もっと読む）

【課題】ベイヤ配列の透過型カラーフィルタを備えた固体撮像素子を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は、入射光に含まれる赤色及び緑色の光を透過させ且つ青色の光を反射する第１の色分離素子と３５、入射光に含まれる緑色及び青色の光を透過させ且つ赤色の光を反射する第２の色分離素子３６と、第１の色分離素子３５を透過した光のうちの緑色の光を透過させて第１の受光部２１Ａに入射する第３の色分離素子３７と、第２の色分離素子３６を透過した光のうちの緑色の光を透過させて第４の受光部２１Ｄに入射する第４の色分離素子３８と、第１の色分離素子３５において反射された青色の光を反射して第３の受光部２１Ｃに入射する第１のミラー素子３９と、第２の色分離素子３６において反射された赤色の光を反射して第２の受光部２１Ｂに入射する第２のミラー素子４０とを有している。 （もっと読む）

【課題】カバーガラスにα線遮蔽ガラスを使用するチップサイズパッケージタイプの固体撮像装置のコストダウンを図る。
【解決手段】ガラス基板１４は、安価な透明ガラスからなり、固体撮像装置のカバーガラスの基材に用いられる。このガラス基板１４の一方の面にα線遮蔽材１２を塗布し、α線遮蔽機能を付与する。その後に、固体撮像素子の周囲を取り囲むスペーサーの基材となるスペーサー用ウエハ１６を接着剤１７で接合し、レジストマスク１９を形成し、エッチングによりスペーサーを形成する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置およびその製造方法、並びに当該固体撮像装置を備えたカメラを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る固体撮像装置は、基板３０の第１面側に配線層を有し、基板３０の第２面側から光を受光する。当該固体撮像装置は、基板３０に形成され、電荷蓄積領域４１を含む受光部３１と、基板３０の第１面上であって受光部３１に隣接して配置され、受光部３１に蓄積された信号電荷を転送する転送ゲート５１と、基板３０の第１面上であって受光部３１に重なって配置され、受光部３１の第１面近傍のポテンシャルを制御する制御ゲート５２とを有する。 （もっと読む）

【課題】硬化性能が良好で下地との密着性に優れる光硬化性組成物、および下地との密着性に優れ、迷光による偽信号の発生が軽減され色欠陥の少ない該光硬化性組成物を用いて形成される反射防止膜を提供する。前記反射防止膜を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】着色剤、光重合性化合物、光重合開始剤およびアルカリ可溶性樹脂を含有し、該光重合性化合物が少なくともビスフェノール系化合物及びイソシアヌル環含有化合物のいずれか１種を含む光硬化性組成物、及びそれを用いた反射防止膜、並びに該反射防止膜を有する個体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが数十μｍ以上の比較的大きな受光素子を用いる場合でも、良好な集光性能が得られる小型のマイクロレンズを搭載できるようにして、良好な感度が得ることができるリニアイメージセンサを得ることを目的とする。
【解決手段】ＰＮ接合を用いてＰ型半導体基板１上に複数のフォトダイオード３を形成し、入射光をフォトダイオード３のＰＮ接合部に形成されている空乏層領域４に集光するマイクロレンズ７をフォトダイオード３の上にそれぞれ配置する。これにより、画素サイズが数十μｍ以上の比較的大きな受光素子２−１〜２−Ｎを用いる場合でも、良好な集光性能が得られる小型のマイクロレンズ（凸型レンズ形状のマイクロレンズ）を搭載することができる。 （もっと読む）

【課題】 複数の層の各カラーフィルタ層を形成する際に、光学特性の劣化なく任意の膜厚に薄膜化して、固体撮像素子の受光感度向上を図る。
【解決手段】 ３つの層の各カラーフィルタ層１９ａ〜１９ｃの形成膜厚、形成順、パターンサイズ、ＣＭＰ条件、スラリー材料（濃度など含め）を最適化してＣＭＰにより平坦化・薄膜化することによって、３原色の３つの層の各カラーフィルタ層１９ａ〜１９ｃを所望の膜厚および位置に形成することが可能となり、各カラーフィルタ層１９ａ〜１９ｃによる光の吸収を低減することが可能となる。さらに、従来必要とされていたオンチップレンズ下の平坦化層１０を削減する。 （もっと読む）

【課題】 隣接して形成されるカラーフィルタ層間に重なりや隙間を生じることなく、且つフォトリソグラフィの工程数を大幅に削減できる固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１に受光部２を形成し、前記半導体基板１上に平坦膜６を形成する工程と、前記平坦膜６上に感光波長の異なる感光性膜７、８、９を複数積層して形成する工程と、前記感光波長の光を透過する光透過性平面パターンを複数配置したマスク１０を用いて、前記感光波長を少なくとも含む光で、前記感光性膜７、８、９を一括露光する工程と、前記感光性膜７、８、９を現像して色素発色させる工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】感度が低い感光部における特性変動を最小限に抑えて、感度の低下や、シェーディングの発生を防いだ固体撮像素子の提供。
【解決手段】固体撮像装置10は、高感度部12、低感度部14、トランスファーゲート16、列転送路18、転送電極20、層内レンズ22、24、カラーフィルタ26、トップマイクロレンズ28、30を含み、低感度部14に設けられる層内レンズ24、およびトップマイクロレンズ30の曲率を、実質的にゼロ、または、高感度部12に設けられる層内レンズ22、およびトップマイクロレンズ28の曲率よりも小さくする。これにより、低感度部12では集光されないようになるため、フォトダイオード44にある一定の光が照射されるようになる。その結果、感光部における特性変動が最小限に抑えられ、感度の低下や、シェーディングの発生を防ぐことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】製造誤差による色再現性の低下を防止することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】Ｒ，Ｇ，Ｂの色成分を検出する色検出用光電変換素子と、輝度成分を検出する輝度検出用光電変換素子とを含む多数の光電変換素子を有する固体撮像素子であって、平面視において、カラーフィルタ３２，３３，３４が、当該カラーフィルタの下方にある色検出用光電変換素子に入射すると想定される第一の入射範囲Ｒ，Ｇ，Ｂに隣接する第二の入射範囲Ｙ内に食い込んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】瞳分割位相差方式を採用した固体撮像素子において、１フレームでの焦点検出における露光タイミングの同時性が確保される固体撮像素子とそれを用いた電子カメラを提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、少なくとも一部の画素が、複数の光電変換部と、光電変換部のそれぞれに対応して配置され電荷を対応する光電変換部から受け取る複数の電荷格納部と、複数の電荷格納部から電荷を受け取るフローティング拡散領域と、光電変換部から対応するそれぞれの電荷格納部に電荷を転送する第１の転送部と、複数の電荷格納部からフローティング拡散領域に電荷を転送する第２の転送部と、光電変換部に入射光を導くマイクロレンズとを有する。 （もっと読む）

本発明は、ＣＭＯＳイメージセンサの画素アレイ構造及びその配置方法に関し、各々の単位画素が、行方向および列方向に隣接する単位画素に対して斜線方向にずれて配置されたものである。このような配置のためには、偶数番目の行の画素アレイは、奇数番目の画素アレイに対して列方向ピッチの半分だけ列方向にシフトするように配置することが可能である。
本発明によれば、斜線方向にずれた画素アレイでは、光感知素子間の距離がより長く確保されることで、更に大きい面積の光感知素子を配置できるようになり、ＭＯＳトランジスタにより構成された画素トランジスタ回路部を光感知素子間に配置できるようになり、光感度及び解像度を著しく増大できる。
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【課題】光学装置においては、装置の小型化および薄型化だけでなく、光の感度向上が要求されている。
【解決手段】撮像装置１は、基板１１と、基板１１の上面の中央に実装された撮像素子２１と、撮像素子２１の上に接着して設けられた透光性部材２７と、基板１１の上面の周縁に設けられ、撮像素子２１と電気的に接続されている複数の第１端子部１３，１３，…と、基板の上面に設けられ光学素子２１を封止する封止部２９とを備えている。封止部２９は、透光性部材２７の上面２７ａよりも下方に位置している。透光性部材２７の上面２７ａは封止部２９から露出している一方、透光性部材２７の側面は封止部２９に封止されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＤ容量のばらつきを低減させ、光学特性を向上させた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】セル１０１が行列状に配置されてなる画素アレイが設けられている。各セル１０１内には、フォトダイオード１０２と、ＦＤ１０３と、転送トランジスタ１１１と、リセットトランジスタ１１２と、ゲート電極がＦＤ１０３に、ドレインが電源線１０６に、ソースが垂直信号線１０７に接続された増幅トランジスタ１０８と、ＦＤ配線１２０とが設けられている。電源線１０６は第１の配線層に配置され、垂直信号線１０７は第１の配線層の上方に位置する第２の配線層に配置される。ＦＤ配線１２０の電位は垂直信号線１０７の電位に追従するのでセル１０１の位置に応じて垂直信号線１０７の位置をシフトさせた場合にＦＤ１０３に生じる容量のばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】大がかりな光学系や複雑な演算処理を使用しなくても、可視光と赤外光とを共に受光検出することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換がなされるセンサ１２部の上方に、各画素のセンサ部１２に対応して、カラーフィルター１６と、入射光を集光するオンチップレンズ１８とが、それぞれ形成され、画素領域のうち一部の画素には、カラーフィルター１６が形成されておらず、画素領域のうちカラーフィルター１６が形成された画素には、さらにオンチップレンズ１８の上方に、可視光を透過するが赤外光を透過しない赤外光カット膜２１が形成されている固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で、異物付着が避けられる撮像素子の製造方法、撮像素子を提案する。
【解決手段】（１）マイクロレンズ１８を形成する工程、（２）マイクロレンズの屈折率より低い屈折率を有する透明樹脂の塗布液を用いて、マイクロレンズが形成された半導体基板の全面に平坦層１９を形成する工程、（３）該平坦層の有効画面部位は覆われ、アルミニウムのパッド上には開口を有するレジストパターン２４を形成する工程、（４）アルミニウムのパッド上方の平坦層を除去して、アルミニウムのパッドを露出させた開口部２５を形成し、同時にレジストパターンを除去するドライエッチング工程を備えること。 （もっと読む）

【課題】 受光部面にて反射した光による光の干渉を低減し、色ムラを抑制した撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明の撮像装置は、半導体基板に配された複数の光電変換素子と、前記半導体基板上に配された複数の層間絶縁膜を有する多層配線構造と、前記多層配線構造上に配された保護層とを有している。
そして、その保護層の下面に第１の絶縁層が配され、上面に第２の絶縁層が配され、この保護層と第１の絶縁層との屈折率および保護層と第２の絶縁層との屈折率が、夫々異なる。また、層間絶縁膜および第１の絶縁層の少なくとも一層に平坦化工程が施されている。更に、保護層と第１の絶縁層との間に第１の反射防止膜、保護層と第２の絶縁層との間に第２の反射防止膜が配される。
このような構成によって、受光部上にて反射した光が保護層の上下界面で反射することの低減が可能となり、反射光の干渉が減少するため、色ムラが低減される。 （もっと読む）

【課題】高いフィルファクターを持つ画素を備えるイメージセンサー及びイメージセンサーの形成方法を提供する。
【解決手段】基板内に第１方向及び第２方向にそれぞれ延びる行及び列に配列される光電変換素子のアレイを備えるイメージセンサー。基板内に複数の第１接合分離領域及び第２接合分離領域とが位置する。第１接合分離領域それぞれは共通行内で互いに隣接する光電変換素子の側部を分離し、第２接合分離領域それぞれは共通列内で互いに隣接する光電変換素子の側部を分離する。基板内に複数の絶縁分離領域が位置する。絶縁分離領域それぞれは互いに隣接する光電変換素子のコーナー部を分離する。一実施形態で、光電変換素子は第１方向に第１ピッチを持ち、第２方向に第２ピッチを持つ。第１ピッチは、共通行内の前記光電変換素子で実質的に同一であり、第２ピッチは、共通列内の前記光電変換素子で実質的に同一である。 （もっと読む）