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Fターム[4M118GD16]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 集光要素 (6,518) | ミラー (215) | 曲面(非平面)状 (13)

Fターム[4M118GD16]に分類される特許

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【課題】検出感度を向上するとともに、低コスト化を実現することができるようにする。
【解決手段】イメージセンサにおいては、光電変換部の受光素子上に、中央部分に凹部(窪み)が形成された平凸形状の構造体が形成されている。構造体の凹部を除く表面には、光反射性の薄膜が形成されている。そして、構造体の凹部には、測定対象のゲル状、または液体状の試料が貯留されている。本開示は、例えば、試料を測定対象とする検査装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】撮像面へ向かう撮影光束の一部を他の目的に使用し得るように瞳伝送することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換を行う画素6が複数配列された撮像面2と、撮像面2が設けられた面側に配設された、撮像面2へ向かう撮影光束の一部を反射して瞳伝送するための反射面5と、を備えた撮像素子1。反射面5は、例えば複数の微小反射面4により構成され、各微小反射面4は、例えば画素6同士の間隙に配設されている。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードへの再入射を確実に行って、赤色感度を向上させる。
【解決手段】複数の受光部2が形成された撮像デバイスの裏面に、反射材11の凹面形状を反射した反射光が受光部2のPN接合位置で焦点を結ぶように、受光部2の向きに反射材11により凹面鏡を形成するように配置する。これにより、受光部2を一旦透過した入射光が、再び受光部2側に集光されて戻って光電変換され、感度、特に透過しやすい赤色光に関する赤色感度が向上する。半導体基板1の厚さも、反射材11からの反射光が隣接する受光部2に到達しないような厚さとする。 (もっと読む)


【課題】良好な分光特性とともに高い信頼性を備える固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板1の受光領域3に設けられ、入射光量に応じた電荷を発生させる光電変換素子5と、受光領域3の周囲に形成され、光を遮蔽する遮光部であるアルミニウム配線2と、半導体基板1上に設けられ、光電変換素子5及び遮光部を保護する保護層6と、を有し、保護層6のうち半導体基板1側とは反対側の表面には、光電変換素子5の照射面に対して垂直な方向について高低差を持たせた段差部4が形成され、段差部4は、受光領域3内に設けられる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、カラーフィルタを用いずに光分離を行って光電変換を行なうことを特徴とする。
【解決手段】半導体基板11内に形成され、カラーフィルタを介さずに光が照射される複数のフォトダイオード12と、半導体基板11の光照射面とは反対側の面上に複数のフォトダイオード12に対応してそれぞれ形成され、それぞれ異なる波長帯域の光を反射して対応する複数のフォトダイオード12に戻す波長選択性を有する複数の多層反射膜15を具備している。 (もっと読む)


【課題】センサ素子の感度を増強することができる背面照射光半導体デバイスを提供する。
【解決手段】デバイス100は、前面と背面を有する半導体基板110と、前記半導体基板110の前面に形成されるセンサ素子120と、前記センサ素子120の上部を覆って配置される光反射層(LRL)130とを有する。このLRL130は、前記背面に向かいセンサ素子120を通り抜ける光を反射するために設けられている。 (もっと読む)


【課題】例えば、感度が高められた光電変換素子、及び光電変換装置、並びにイメージセンサを提供する。
【解決手段】下電極(151e)は、基板(10)上に形成されたゲート絶縁膜(41)、絶縁膜(42)、(43)及び(44)のうちアクリル樹脂の有機樹脂から構成された絶縁膜(43)上に形成されている。下電極(151e)は、基板(10)上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有している。したがって、下電極(151e)によれば、フォトセンサ(151)の上側からフォトセンサ(151)に入射した入射光のうちn型半導体層(151b)、受光層(151c)及びp型半導体層(151d)を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】色分離特性及び感度を向上させて高画質の画像を得ることが可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素が2次元状に配置されて撮像領域が構成された固体撮像装置であって、1つの画素は、半導体基板131内に設けられ、光を電荷信号に変換する光電変換部130と、半導体基板131の第1面上に設けられ、第1面に入射する光を光電変換部130上に集光させるマイクロレンズ110と、半導体基板131の第1面と反対側の第2面上に設けられ、光電変換部130に蓄積された信号電荷の読出しを制御するゲート電極141と、第2面上に設けられた反射膜150とを備え、反射膜150は、マイクロレンズ110を介して第1面に入射し、半導体基板131を透過した光を光電変換部130に反射する曲面形状を有する。 (もっと読む)


【課題】プロセス時の合わせずれに対するマージンを確保しつつ、スミア信号を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】受光素子を含む画素を2次元状に複数配置した受光部を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁層と、受光部上の前記絶縁層に受光部の受光面に対して垂直方向に形成される光導波路と、光導波路の上部に形成されたオンチップマイクロレンズとを備え、光導波路は、オンチップマイクロレンズから受光面の方向へ狭くなり、かつ、受光部の受光面に対して少なくとも2段階の傾斜が形成される側壁を有し、側壁の少なくとも2段階の傾斜角度は、半導体基板側の方がオンチップマイクロレンズ側よりも大きいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】車載用赤外線イメージセンサに必要な高速性や、暗所監視イメージセンサの高感度化を安価に実現する。
【解決手段】第1導電型の半導体基板1とその表面側に局所的に形成された第2導電型半導体2とのPN接合部に生じる空乏層領域3を光電変換領域とするフォトダイオードPDと、半導体基板1の表面側に形成されフォトダイオードPDとともにCMOSイメージセンサを構成する画素回路10とを含む半導体撮像素子において、半導体基板1に空洞4を形成し、その空洞4を介して半導体基板1の裏面(または側面または表面側)から光をフォトダイオードPDの光電変換領域へ照射する構成とした。これによって、入射される近赤外線は、その信号吸収が最も大きいフォトダイオードのPN接合部を長い時間通過することができる。反射膜5を設けることで、反射光が再度PN接合部を通過するので、さらに高感度となる。 (もっと読む)


【課題】工程数を増加させることなく、受光センサ部上に導波路を設けて集光効率を向上させる。
【解決手段】受光センサ部12上方の絶縁層14に導波路18が設けられ、この導波路18の側壁部に反射膜17が設けられた固体撮像素子10を製造する際に、図1のイオン化スパッタリング装置1によるイオン化スパッタリング法により、導波路形成用穴18a内に反射膜17を形成することにより、導波路形成用穴18aの側壁表面に直に均一な反射膜17を形成すると同時に、イオン化されたターゲット材料7により導波路形成用穴18aの底部などに堆積した反射膜17が除去される。これによって、従来技術のように、導波路18の底部に形成された金属膜の反射膜17を除去する工程は不要となる。また、反射膜17と導波路形成用穴18aの側壁表面との間には従来のように下地膜が形成されない。 (もっと読む)


【課題】レンズアライメントずれによる受光部への入射光減少を抑制して、小F値においても光を受光部へ効率よく入射させる。
【解決手段】2次元状(またはマトリクス状)に複数のフォトダイオード領域2が設けられた半導体基板1の表面上または半導体基板の表層部上に、内部に複数の配線21〜23を含む絶縁層3を有する固体撮像素子31において、フォトダイオード領域2上に光導波路を形成する。その光導波路上の第1マイクロレンズ11Aを、光導波路とセルフアライメントにより作製する。絶縁層3の等方性エッチングと異方性エッチングにより光導波路を形成し、その等方性エッチングにより形成された楕円半球状穴3A内にレンズ材料を加工し、熱でレンズ材料を溶かすことにより、楕円半球状穴3Aのセルフアライメントにより光導波路と第1マイクロレンズ11Aが位置決めされた状態で形成される。 (もっと読む)


【課題】 斜めに入射された光によるノイズを効果的に低減することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 フォトダイオード(PD)11の受光面を除く領域を遮光する遮光層27は、各PD11に対して凹部が形成されるとともに該凹部の底面に受光窓28が形成されている。この遮光層27の凹部の表面には、光拡散層29が設けられている。光拡散層29は、光軸Lに対してほぼ平行な入射光の光路外に設けられており、マイクロレンズ33の光軸Lに対して斜めに入射された光を拡散させる。なお、光拡散層29に代えて、遮光層27の凹部の表面に光吸収層を設けても良い。この光吸収層は、光軸Lに対して斜めに入射された光を吸収する。 (もっと読む)


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