【課題】磁界書き込み方式の磁気抵抗記憶装置において、記憶情報の熱的安定性を確保しながら、書き込み電流を低減すること。
【解決手段】磁気抵抗記憶装置は、磁気抵抗素子と、第１電流端子及び第２電流端子に接続された配線層と、を備える。データ書き込み時、配線層を通って第１電流端子と第２電流端子との間に書き込み電流が流れる。磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。配線層は、磁気抵抗素子と少なくともオーバーラップする配線中央部と、配線中央部よりも外側に位置し、配線中央部よりも抵抗値が高い配線側部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスの欠点および欠陥を解消すること。
【解決手段】ＭＲＡＭデバイスは、下部配線レベルの上に形成された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）スタック、ＭＴＪスタックの上に形成されたハードマスク、およびハードマスクの上に形成された上部配線レベルを含む。上部配線レベルは、その中に形成されたスロット・バイア・ビット線を含み、スロット・バイア・ビット線はハードマスクと接触しており、さらにハードマスクの側壁を部分的に包囲するエッチ停止層と接触している。 （もっと読む）