【課題】信頼性の高い低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリセルが備えるトンネル磁気抵抗効果素子４０２の強磁性自由層２００の磁化容易軸方向に対して直交する方向、特に膜面垂直方向に４５度の角度をなす方向に適当な磁界を印加した状態でスピントランスファートルクにより強磁性自由層の磁化反転を行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリセルを構成する巨大磁気抵抗効果素子やトンネル磁気抵抗効果素子４０２の強磁性固定層２０２の磁化方向と反平行又は平行に磁化された強磁性配線１０１を記録層である強磁性自由層２００に非磁性層４０１を介して接続させ、スピントランスファートルクにより記録層の磁化反転を行う。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化膜を用いた磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁化記録層への磁壁導入処理を容易に実現する。
【解決手段】磁壁移動型のＭＲＡＭは、垂直磁化膜である磁化記録層と、磁化記録層から電気的に絶縁された初期化配線と、を備える。磁化記録層は、第１磁化固定領域と、第２磁化固定領域と、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域との間をつなぐように設けられた磁化反転領域と、を有する。磁化固定領域と磁化反転領域との境界には磁壁が形成される。磁壁を磁化記録層に導入する初期化処理の際、初期化配線には初期化電流が流れ、初期化電流によって磁化記録層には電流誘起磁界が印加される。その電流誘起磁界の強度あるいは方向が第１磁化固定領域と第２磁化固定領域とで異なるように、初期化配線が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気記憶層、基準層及び基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層から成る磁気トンネル接合部と、磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分とを有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の記憶素子である。
【解決手段】 この記憶素子には、第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の一方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分が更に設けられており、これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタを介して電流が流れるように構成されている。ここで開示した記憶素子の電気消費量は、従来のＭＲＡＭ記憶素子よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】 本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。
【解決手段】 メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。 （もっと読む）

磁場又は熱アシストスピン移動による書き込み用の磁性素子が、スタックを備え、該スタックが：・自由磁性層であって、スイッチ可能な磁化層（５１）又は記憶層とも呼ばれ、その磁化方向が、２つの非−書き込み安定状態の間をスイッチ可能であり、いずれも、面外及び前記層の平面に実質的に垂直に向けられ、書き込みの間の温度上昇の影響下において、その磁化が、平面に実施的に垂直な方向から、実質的に面内に、自発的に再配向される自由磁性層；・少なくとも１つの参照磁性層（５０，５５）であって、ピン止め層とも呼ばれ、その磁化が、前記層の平面と実質的に垂直に配向された参照磁性層；・前記２つの層の間に挿入された非磁性スペーサ（５２）；・前記層の平面に垂直に電流を流すための手段；を備える。
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【課題】簡易な構成で磁気抵抗素子のデータ書き換え特性の評価を正確に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１の電圧が供給される第１端と、第２端とを有し、データ書き込み時、磁気抵抗素子Ｓにデータを書き込むための書き込み電流が流れ、書き込み電流の方向が書き込みデータの論理値に依存しない書き込み電流線ＤＬと、書き込み電流線ＤＬの第２端に結合される第１導通電極と、第２の電圧が供給される第２導通電極とを有し、データ書き込み時、書き込み電流線ＤＬに書き込み電流を流すことにより、磁気抵抗素子Ｓの磁化に作用する磁場を発生するトランジスタＴＲＤと、第１の電圧が供給される第１のパッドＰＤ１と、第２の電圧が供給される第２のパッドＰＤ４と、半導体装置１０１が備える他の回路に第３の電圧を供給するための第３のパッドＰＤ２，ＰＤ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶素子に対するデータの書き換え時間を低減することが可能な技術を提供する。
【解決手段】“０”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して、第１磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、自由層の下層側の磁化ＬＭと上層側の磁化ＵＭが反転する。“１”を記憶する磁気記憶素子の自由層に対して、第２磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、磁化ＬＭ，ＵＭが反転する。“０”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して第２磁場印加シーケンスに従って磁場が印加されても磁化ＬＭ，ＵＭは反転せず、“１”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して第１磁場印加シーケンスに従って磁場が印加されても磁化ＬＭ，ＵＭは反転しない。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、絶縁体から成る中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７を構成する強磁性層の磁歪定数の大きさが１×１０^−５以上である記憶素子３を構成する。 （もっと読む）