【課題】スピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリに関し、より小さいサイズのメモリセル選択トランジスタで効率的な書き込みが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】ビット線２４、接続導体層２５及びＭＴＪ素子３０が形成された層間絶縁膜２２上には、層間絶縁膜２６が形成されている。層間絶縁膜２６には、接続導体層２５に接続されたプラグ２７と、ＭＴＪ素子３０に接続されたプラグ２８とが埋め込まれている。層間絶縁膜２６上には、プラグ２７とプラグ２８とを電気的に接続する局所内部配線２９が形成されている。これにより、ＭＴＪ素子３０のフリー層側は、プラグ２８、局所内部配線２９、プラグ２７、接続導体層２５、プラグ２３、接続導体層２１、及びプラグ１９を介して、ｎ型ドレイン領域１６に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁気デバイスを形成する技術を提供する。
【解決手段】一態様では、磁気デバイスに対して自己整合されるビア・ホールを形成する方法が、以下のステップを含む。磁気デバイスの少なくとも一部分の上に誘電体層が形成される。誘電体層は、磁気デバイスに最も近接して、第１材料を含む下層を有し、下層に対して、磁気デバイスとは反対側の面に、第２材料を含む上層を有するように構成されている。第１材料と第２材料とは異なるものである。第１エッチング段階では、第１エッチャントを使用して、上層から開始し上層を貫通して誘電体層をエッチングする。第２エッチング段階では、下層のエッチングに対して選択的な第２エッチャントを使用して、下層を貫通して誘電体層をエッチングする。 （もっと読む）