【課題】孤立パターンに銅の化合物が析出するのを抑制する半導体装置の製造方法と、半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置では、素子・基板層ＥＳＬの低誘電率膜ＬＯＷ１、ファイン層ＦＬの極低誘電率膜ＥＬＫ１等およびセミグローバル層ＳＧＬの低誘電率膜ＬＯＷ２等のそれぞれの開口部に形成されるアライメントマークＡＭおよび重ね合わせ検査マークＫＭが、半導体基板ＳＵＢに形成された所定の導電型の不純物領域ＩＲに電気的に接続されて、アライメントマークＡＭおよび重ね合わせ検査マークＫＭが接地電位に固定されている。 （もっと読む）

【課題】設計工数をほとんど掛けないで、ＣＭＰ対策及び短時間光アニール対策の両対策に最適化されたダミーパターンを有する半導体集積回路装置を提供すること。
【解決手段】基板上に、メモリマクロ領域１０及び機能回路領域２０を有する半導体集積回路装置１において、機能回路領域２０間、及び、メモリマクロ領域１０と機能回路領域２０との間に配置されるとともにダミーパターン４１を含むダミーパターン領域４０を備え、ダミーパターン４１は、前記メモリセルアレイ領域におけるメモリセルパターン１１の拡散層１２、１３及びゲート電極１４と同等のパターンであり、ダミーパターン領域４０におけるダミー拡散層４２、４３及びダミーゲート電極４４の面積率は、メモリセルアレイ領域における拡散層１２、１３及びゲート電極１４の面積率と同等以上である。 （もっと読む）

【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 （もっと読む）

【課題】磁性細線でトラックを形成した磁気記録媒体を対象として、磁区の移動によるデータの消失を防ぐと共に、磁性細線の記録層を有効に記録、保存、再生に活用し、実質的に使用されていない空き容量を減少させることができる磁気記録媒体再生装置、これに用いる磁気記録媒体、および、磁気記録媒体再生方法を提供する。
【解決手段】パルス電流を、磁性細線５の一端から他端に向かう細線方向に供給する電流供給手段１０と、磁性細線５の書込領域にデータの記録を行うデータ記録手段２０と、読出領域に記録されているデータを再生するデータ再生手段３０と、あふれデータ検出領域に記録されているデータを検出するあふれデータ検出手段４０と、あふれデータ検出手段４０で検出されたデータを、再書込領域に再度記録するあふれデータ再記録手段５０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子に記憶された情報を不正な手段で読み出すことを困難にして、磁気メモリ素子に記憶された情報が漏洩することを抑制できる半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】磁気を加えることにより情報を記憶するメモリセル１１を有するダイ１０を内部に備える半導体パッケージ１であって、パッケージ本体２０の内部に配置され、メモリセル１１の磁気メモリ素子を磁化可能な磁界ＭＦ１を少なくともメモリセル１１が位置する空間に発生させる磁界源４１と、ダイ１０の基板面１０Ａを覆って配置され、メモリセル１１に加わる磁界ＭＦ１を減衰させる磁気シールド材４２と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高集積化が容易な積層メモリ素子を提供する。
【解決手段】本願発明の積層メモリ素子は、基板と、基板上に互いに積層された、少なくとも１層のメモリ層をそれぞれ含む複数のメモリグループと、該複数のメモリグループのうち、複数の隣接した２つのメモリグループ間に介在する複数のＸデコーダ層と、前記複数の隣接した２つのメモリグループ間に、複数のＸデコーダ層と交互に介在される複数のＹデコーダ層と、を具備する積層メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】集積度を高めることが容易な３次元積層された多層構造メモリ素子を提供する。
【解決手段】本積層メモリ素子は、基板と、基板上に相互積層され、複数の群に分割された複数のメモリ層と、各群内のメモリ層と電気的に接続され、各群内のメモリ層の間に配された複数のインターデコーダと、複数のインターデコーダと電気的に接続され、複数のインターデコーダの間に配された少なくとも一つのプレデコーダと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

対称なスピントランスファトルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）ビットセルおよびＳＴＴ−ＭＲＡＭビットセルアレイが示される。ＳＴＴ−ＭＲＡＭビットセルは、ポリシリコン層、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子およびボトム電極（ＢＥ）プレートを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体プロセスとの親和性が高く、機械的に電気的導通路を完全遮断するスイッチング機能を有し、かつ不揮発性の情報記録を可能とするメモリ素子を実現する。
【解決手段】基板上に形成された電気機械メモリであって、メモリセルを電極で挟む形で形成されており、ポスト部を介して中空に架橋された梁である可動電極を具備した電気機械メモリを実現する。この構成により、簡易な構造で不揮発性メモリを実現することが可能となり、従来実現困難であった低消費電力、低コストの高性能電気機械メモリおよびそれを用いた電気機器が実現可能となる。 （もっと読む）