Fターム[5B015MM00]の内容
S−RAM (6,838) | 動作モード (273)
Fターム[5B015MM00]の下位に属するFターム
ニブルモード (1)
ページモード (6)
シリアルアクセスモード (16)
バーストモード (16)
フラッシュライト(一括書込み)モード (3)
省電力モード (62)
テストモード (77)
リードモディファイライト (3)
モードを切り替えるもの (46)
その他のモード (42)
Fターム[5B015MM00]に分類される特許
1 - 1 / 1
半導体記憶装置とそのセルリーク検出方法
【課題】SRAM回路の製品信頼性が低下する問題があった。
【解決手段】セルリークの判定機能を有した半導体記憶装置であって、相補性ビット線対と、前記ビット線対に接続され、セル選択時に前記ビット線対に印加された値に応じた値をセルノードに記憶するメモリセルと、セルリークテスト期間において、選択状態の前記メモリセルに対し、前記ビット線対の一方に第1の値を印加させ、その後、非選択状態の前記メモリセルの駆動電源の供給を停止し、且つ、前記ビット線対の一方に対して前記第1の値と逆の第2の値を印加させ、前記ビット線対の一方に対応する側の前記メモリセルの第1のセルノードの値に応じて、当該半導体記憶装置のセルリークを判定するテスト制御回路と、を有する半導体記憶装置。
(もっと読む)
1 - 1 / 1
[ Back to top ]