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Fターム[5B018MA06]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 対象 (1,668) | 冗長記憶部 (4)

Fターム[5B018MA06]に分類される特許

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【課題】 冗長化した半導体メモリのデータ記録制御を行う従来のメモリ制御装置は、半導体メモリに格納した符号化データを復号する場合に、半導体メモリの故障情報を利用していないため、宇宙環境での冗長化されたデータの記録再生に係る信頼性を十分に高められなくなっている。
【解決手段】 ハミング符号を用いて複数の半導体メモリに冗長化してデータを記録し、ハミング符号を復号して、データが誤りの場合にはメモリ故障と判定してデータ誤りのある半導体メモリを除いてから多数決処理を行うことにより、冗長化前の正しいデータを再生することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、小型化、低価格化が可能で、起動時間、アクセス時間が短い大容量の半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】不揮発性半導体メモリに格納されるデータの誤り検出・訂正を行う誤り訂正回路と、複数のバッファを備え、誤り訂正回路による誤り検出・訂正後のデータの複数のバッファのうち、一つからホストへのインターフェイス制御回路を通じた転送と、誤り訂正回路による誤り検出・訂正のための他のデータの前記不揮発性半導体メモリから前記複数のバッファのうちの他の一つへの転送とを平行に行う。 (もっと読む)


【課題】 メモリ内容を破壊することなく、CPU稼働中でも実行可能なメモリチェック装置及びメモリチェック方法を実現する。
【解決手段】 メモリのチェック対象データを読み出し、読み出した非反転データとその反転データを保持するデータ保持手段と、
前記保持された反転データを前記メモリのチェック対象データ上に書き込む、反転データ書き込み手段と、
書き込まれた反転データを読み出し、前記保持された反転データと比較し、一致していれば正常、不一致であれば異常と判定する第1のデータ比較手段と、
を備える。 (もっと読む)


【課題】メモリのページサイズやブロックサイズとは異なるサイズを有するデータセクタを備えた不揮発性メモリシステムの性能改善と効率的な処理。
【解決手段】 フラッシュEEPROMシステムのような不揮発性メモリシステムが複数のブロックに分割され、さらに、ブロックの各々が2以上のページに分割されて開示される。ページまたはブロックのいずれかと異なるサイズのデータセクタが上記2以上のページに記憶される。1つの固有の技法により、1ブロック用として与えられたページよりも多くのセクタが当該ブロックの中へパックされる。好ましくは、ユーザデータとは異なるページとブロックの中に、誤り訂正符号と複数のユーザデータ・セクタの別の属性データとが一緒に記憶される。 (もっと読む)


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