【課題】 特定のメモリ領域の書込回数が所定限界回数を超えるのを防止して記憶素子の寿命を向上させ、且つデータの消失やシステムの暴走・誤動作を回避することができるようにした。
【解決手段】 乱数データ発生部から乱数データを読み取り（Ｓ１１）、乱数データに基づきアドレスのオフセット値を計算する（Ｓ１２）。次いで、ＥＥＰＲＯＭのデータ格納領域に格納されている乱数データをクリアし（Ｓ１３）、上記オフセット値に基づいてバックアップするデータをＥＥＰＲＯＭに順次格納していく（Ｓ１４）。そして、バックアップするデータを全てＥＥＰＲＯＭに格納した後、取得した乱数データをＥＥＰＲＯＭのデータ格納領域に格納し（Ｓ１５）、処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】 入力回路の簡素化と製品管理の取り扱いを簡便にしつつ、実質的な低消費電力化及び素子の微細化に適合して安定した入出力伝達特性を実現できる入力回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 外部端子から供給される入力信号を受ける差動増幅回路に第１と第２の動作電圧を第１と第２のスイッチＭＯＳＦＥＴを介して供給するようにし、バイアス電圧発生回路により上記入力信号が上記第１と第２の動作電圧の中心電圧付近にあるときに上記第１と第２スイッチＭＯＳＦＥＴをオン状態にし、その入力信号が継続的に一定期間上記第１電圧又は第２電圧にあるときには、それに対応した出力信号を形成すべく上記第１又は第２スイッチＭＯＳＦＥＴのいずれか一方をオン状態に他方をオフ状態にする制御電圧を形成し、上記第１動作電圧と第２動作電圧に対応した第１振幅の入力信号と、上記第１動作電圧と第２動作電圧の間の所定の中間電圧に対応した第２振幅の入力信号の双方の供給を可能とする。 （もっと読む）