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Fターム[5B060AB00]の内容

メモリシステム (7,345) | アドレス制御 (691)

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Fターム[5B060AB00]に分類される特許

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【課題】アドレスデータの遅延等に起因して生じるアドレスのビット化け箇所を抑制するとともに、仮にアドレスのビット化け生じてもデータの書き込みミスによるデータの破損を防止できる情報処理装置を提供する。
【解決手段】ライトサイクルにて、RAMに対し、書き込み先のアドレスをグレイコードで与えてデータを書き込ませる。また、RAMに対し、ライトサイクルの後に挿入されたダミーライトサイクルにて、前回のライトサイクルで書き込ませたデータと同じデータを、次回のライトアクセスにおけるグレイコードで与えられた書き込み先のアドレスにダミーで書き込ませる。 (もっと読む)


【課題】 多種のメモリ機能を1つの半導体メモリで実現し、半導体メモリの開発コストを削減する。
【解決手段】 半導体メモリは、メモリシステムに入出力される外部信号とメモリセルアレイに入出力される内部信号とを相互に変換するための論理がプログラムされるフィールドプログラマブル部を有する。フィールドプログラマブル部の論理を構成するためのプログラムは、不揮発性のプログラム記憶部に格納される。フィールドプログラマブル部により、半導体メモリをアクセスするコントローラのインタフェースが、メモリセルアレイをアクセスするためのインタフェースと異なる場合にも、コントローラはメモリセルアレイをアクセスできる。このため、1種類の半導体メモリを複数種の半導体メモリとして利用できる。この結果、複数種の半導体メモリを開発する必要がなくなり、開発コストを削減できる。 (もっと読む)


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