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Fターム[5B060BA12]の内容

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【課題】不揮発性半導体メモリに記憶されているデータを、高速アクセス可能な記憶装置にアクセス発生前に記憶し、効率的なアクセスを実行する。
【解決手段】実施形態に係るメモリ管理装置3は、履歴管理部16、アドレス変換テーブル13、アドレス管理部17、先読みデータ管理部18を含む。履歴管理部16は、メインメモリ4として使用される不揮発性半導体メモリ61〜6kに記憶されているデータに対するアクセス履歴を管理する。アドレス変換テーブル13は、データについての論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを含む。アドレス管理部17は、アドレス変換テーブル13の第1の論理アドレスに対するアクセスの後にアクセスされる第2の論理アドレスをアクセス履歴に基づき決定し、第2の論理アドレスに対応する第2の物理アドレスを第1の論理アドレスに対応付けてアドレス変換テーブル13に登録する。先読みデータ管理部18は、第2の物理アドレスに対応するデータをバッファ11に格納する。 (もっと読む)


シリアル不揮発性メモリデバイスに対して向上されたアドレス能力を提供するための実施形態の例は、少なくとも一部分が、拡張アドレス値に基づいて記憶位置にアクセスすることを備えてよい。その拡張アドレス値は、複数の記憶位置から記憶位置の部分集合を識別する。また、そのアドレスは、その記憶位置の部分集合内の記憶位置を識別する。
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【課題】オペレーティングシステムが管理するメインメモリの管理領域が所定領域に制限されているコンピュータシステムにおいて、制限された所定領域以外の領域である管理外領域を利用できるようにするとともに、その際のユーザの利便性を向上させる。
【解決手段】CPUは、RAMディスクドライバをコンピュータシステムにインストールするときに、PAEモードを有効にする設定を自動的に行う。その後、CPUは、メインメモリ100のOS管理外領域130を、RAMディスクドライバの仮想アドレス空間200にマッピングする。 (もっと読む)


本発明の種々の実施形態はマルチコアメモリモジュールに向けられている。1実施形態では、メモリモジュール(500)は、少なくとも1つの仮想メモリデバイス、該少なくとも1つの仮想メモリデバイスとメモリコントローラとの間に配置されたデマルチプレクサレジスタ(502)を備える。デマルチプレクサレジスタは、メモリコントローラから該少なくとも1つの仮想メモリデバイスの1つを特定するコマンドを受け取って、該コマンドを特定された仮想メモリデバイスに送る。さらに、該少なくとも1つの仮想メモリデバイスは少なくとも1つのメモリチップを備える。
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複数の共有制御及びステータスレジスタと、これらの共有制御及びステータスレジスタの現在の値の可読性を提供するよう構成されるマルチプレクサとを用いることによって、固定アドレス空間デバイスのための信号/レジスタ密度を改善する装置、方法及びシステムが提供される。
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【課題】メモリカードの大容量化(2ギガバイト超)に伴い、旧来のFAT16のメモリカード制御装置は対応できない。
【解決手段】コマンドを解析し、論理アドレスを出力するコマンド解析手段と、1つ、または複数の物理アドレス情報を持つ複数の論理物理変換テーブルと、前記複数の論理物理変換テーブルの中から、前記出力された論理アドレスにより、使用する論理物理変換テーブルを判定し出力する使用テーブル判定出力手段と、前記出力された論理アドレス、及び、前記出力された論理物理変換テーブルにより、論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換手段とを備え、論理アドレスに応じて、論理物理変換テーブルを変更する事により、旧来のFAT16のメモリカード制御装置や、大容量に対応したメモリカード制御装置のどちらでも使用可能なメモリカードを提供できる。 (もっと読む)


【課題】メモリカードの大容量化(2ギガバイト超)に伴い、旧来のFAT16のメモリカード制御装置は対応できない。
【解決手段】コマンドを解析し論理アドレスを出力するコマンド解析手段と、複数の論理物理変換テーブルの中から論理アドレスにより使用する論理物理変換テーブルを判定・選択する使用テーブル判定出力手段と、論理アドレス、及び、使用テーブル判定出力手段からの変換テーブルから論理アドレスを物理アドレスへ変換するアドレス変換手段とを備え、論理アドレスに応じて、論理物理変換テーブルを変更する事により、旧来のFAT16のメモリカード制御装置や、大容量に対応したメモリカード制御装置のどちらでも使用可能なメモリカードを提供できる。 (もっと読む)


不揮発性記憶装置(101)はホスト(102)からの論理アドレスを受けてデータの書込み、読み出しが可能であって、物理アドレスによりデータの書込み、読み出しが行われる不揮発性メモリ(103)と、所定の管理単位領域毎に論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブル(106)と、不揮発性メモリ内の複数領域に重複して配置され管理単位領域のサイズよりも小さなサイズのデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する重複テーブル(107)と、不揮発性記憶装置の動作制御を行うコントローラ(104)とを備える。コントローラ(104)は、一の管理単位領域に書込み済みのデータと同一の論理アドレスを持つデータを他の管理単位領域に重複して書込むことを許可し、その重複して書込むための書込みモードを複数有し、ホストからの論理アドレスの変化の状況に応じて書込みモードを選択的に切り替える。 (もっと読む)


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