【課題】本発明は、データの再書き込みが不可能な不揮発性半導体記憶装置において、誤動作により回路を構成する素子が破壊されるのを防止できるようにする。
【解決手段】たとえば、読み出し動作時に、書き込み動作指示信号ＷＥが異常入力されたとする。すると、書き込み動作制御組み合わせ回路２０は、ＶＤＤ（たとえば、１．５Ｖ）なる書き込み制御信号ＳＬを出力し、書き込みゲート１３を活性化させる。一方、上記書き込み動作指示信号ＷＥの異常入力が、読み出し動作制御順序回路３０の非同期リセット端子（ｒｅｓｅｔ）に入力されると、読み出し動作制御順序回路３０は、直ちに、イコライズ信号ＥＱＬ、参照電位制御信号ＲＥＦＥ、および、差動アンプ制御信号ＳＡＥを非活性状態とし、読み出し動作を停止する。 （もっと読む）

【課題】 プログラマブルメモリにおけるプログラムの記録回数を減少させる。
【解決手段】 プログラマブルメモリ４０は、Ｎ個のワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）メモリ行４３１、出力モジュール４４、判定モジュール４１、および、書き込みモジュール４２を含む。出力モジュール４４はＯＴＰメモリ行４３１の全てのデータを受信し、出力データＯを生成する。判定モジュール４１は出力データＯおよび入力データＩを受信し、出力データＯおよび入力データＩに従って書き込み制御データＺを生成する。出力データＯのビットデータが入力データＩのビットデータと異なる場合に、書き込み制御データＺのビットがイネーブルとされる。書き込みモジュール４２は書き込み制御データＺを受信し、イネーブルとされたビットに対応するＯＴＰメモリ行４３１のプログラムされていないＯＴＰメモリセルに所定のビットデータを保存する。 （もっと読む）

【課題】 温度変化によってメモリセルのしきい値電圧の分布が広がるのを抑制でき、データ保持特性を向上できる不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法を提供する。
【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、モリセルアレイ２１、読み出し回路２２，２３，２３，２５，２６，２７、書き込み回路２２，２３，２３，２５，２６，２７、読み出し電圧発生回路２９、記憶回路３４及び切り換え回路３５を備えている。読み出し電圧発生回路は、読み出し電圧を生成して上記読み出し回路に供給する。上記記憶回路は、メモリセルアレイ中のメモリセルの温度特性を変化させるための情報を記憶する。上記切り換え回路は、上記記憶回路に記憶された情報に基づいて、上記読み出し電圧発生回路で生成される読み出し電圧の温度依存性を切り換える。 （もっと読む）