【課題】消去、書き込みまたは読み出し動作等（第１の動作）を一時中断する機能を外部回路が取り扱うコマンドの数を増やさず実現すること。
【解決手段】本発明は、複数の不揮発性メモリセルを有するメモリセルアレイと、第１コマンドが入力されるＳ１０とメモリセルアレイの一部領域のメモリセルの第１の動作を開始Ｓ１２し、その後、第２コマンドが入力されると、第１の動作を一時中断するＳ１６か第１の動作をリセットするかＳ１４を判断し、一時中断と判断した場合は第１の動作を一時中断Ｓ１８し、リセットと判断した場合は第１の動作を終了するＳ３８制御回路と、を具備する半導体装置およびその制御方法である。 （もっと読む）

【課題】 デバイス出荷後に進行性不良が発生した場合に、不良ブロックと冗長ブロックとを対応付けることで不良ブロックを救済し、スクリーニングにかかる時間を増大させることなく、デバイスの寿命を延ばすことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 不良ブロックと冗長ブロック１５ｂとを対応付ける対応付け手段１１と、メモリブロック１５ａが冗長ブロック１５ｂと対応付けられている場合に、対応する冗長ブロック１５ｂを選択するブロック切替回路１４とを備え、メモリブロック１５ａへのアクセス動作におけるエラーを検出するエラー検出回路１３ａと、エラーが検出されたときに、エラーが検出されたメモリブロック１５ａを不良ブロックと特定し、不良ブロックと対応付けられていない冗長ブロック１５ｂがある場合に、前記不良ブロックを冗長ブロック１５ｂと対応付ける不良ブロック特定回路１３ｂとを備える。 （もっと読む）