【課題】不純物拡散層の相対位置を正確に設定したうえで、蓄積された電荷をリセットするためのリセット電圧を低く設定できるＣＭＤ画素の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極３２１が形成された半導体基板３１０にイオン注入を行って光電変換部３１６とオーバーフローバリア３１７の境界位置をゲート電極３２１の端部に一致させる。次に、半導体基板３１０の上面全体に形成した側壁材料層３３４をエッチバックしてゲート電極３２１の端部に側壁部３２２を形成する。次にイオン注入によってオーバーフローバリア３１７の側面の境界位置を側壁部３２２の端部に一致させるようにドレイン３１２を形成する。このようにオーバーフローバリア３１７をゲート電極３２１と対向する位置以外に形成してドレイン３１２からオーバーフローバリア３１７への変調度を大きくする。 （もっと読む）

【課題】視野闘争の発生を抑制することができ、撮像素子に到達する光の光量の大幅なる低下を防ぐことができる撮像方法を提供する。
【解決手段】光学系、並びに、光学系を通過した光を電気信号に変換する撮像素子アレイを具備した撮像装置を用いた撮像方法であって、２行以上毎に選択された単位画素行から構成された画素群を第１画素群ＰＧ₁とし、第１画素群構成撮像素子を第１撮像素子群４１とし、第１撮像素子群４１に含まれない撮像素子から構成された第２撮像素子群４２から構成された画素群を第２画素群ＰＧ₂としたとき、立体画像を得るための視差情報を第１撮像素子群４１において取得し、画像を得るための画像情報を第２撮像素子群４２において取得し、取得された画像情報に基づき、第１画素群４１における視差情報を取得した画素において画像情報を得た後、視差情報及び全画素における画像情報から立体画像を得る。 （もっと読む）

【課題】低い電圧でリング状ゲート電極下に蓄積された電荷を基板に排出し得、かつ、一括シャッタも実現し得る固体撮像素子を高精度に製造する。
【解決手段】ｎウェル３３中のソース近傍ｐ型領域８３内にｐ⁺領域８９を形成した後、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ｐ⁺領域８９中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面ｎ⁺層９０を形成する。続いて、リング状ゲート電極３５の開口部の内壁にＬＤＤサイドスペーサ９１を形成する。そして、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ＬＤＤサイドスペーサ９１を通して表面ｎ⁺層９０及びｐ⁺型領域８９内にひ素を高濃度で注入し、ｎ⁺型のソース領域３６を形成する。ソース領域３６の形成に伴いリング状のｐ⁺型領域８４が残る。ゲート電極３５とＬＤＤサイドスペーサ９１のセルフアラインでｎ⁺型のソース領域３６とｐ⁺型領域８４を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 電子増倍率をリアルタイムに測定可能な電子増倍率の測定方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】 イメージ部１０１ａとＯＰＢ部１０１ｂとを有する固体撮像素子１０を備える電子増倍型撮像装置１において、画像取得部２４ａが予め設定された所定の電子増倍率で増倍画像を取得し、輝度算出部２４ｂが取得した増倍画像において、イメージ部１０１ａに対応する画素の輝度平均値及び輝度分散平均値を算出し、増倍画像において、ＯＰＢ部１０１ｂに対応する画素の輝度平均値及び輝度分散平均値を算出する。そして、算出した輝度平均値及び輝度分散平均値を用いて変換係数算出部２４ｃが増倍画像の変換係数を算出し、この変換係数と基準電子増倍率における変換係数とを用いて増倍率算出部２４ｄが増倍画像の電子増倍率を求める。 （もっと読む）

【課題】低い電圧でリング状ゲート電極下に蓄積された電荷を基板に排出し得、かつ、一括シャッタも実現し、また、画素にリング状のゲート電極を持つ増幅素子を備えた固体撮像素子において露光時間を可変可能とする。
【解決手段】フォトダイオード４０は、ｎウェル３３に形成され、入射光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域である埋め込みのｐ^-型領域３９を備える。リング状ゲートＭＯＳＦＥＴは、リング状ゲート電極３５と、リング状ゲート電極３５の中央開口部に対応する領域に形成されたソース領域３６と、ソース領域３６の周囲にリング状ゲート電極３５の外周に達しないようにｎウェル３３に接触して形成され、電荷を蓄積するソース近傍ｐ型領域３７と、ドレイン領域３８とを備える。転送ゲートＭＯＳＦＥＴは、転送ゲート電極４１を備える。 （もっと読む）

【課題】同時性、解像度、処理負荷に関する各問題を同時に改善しつつ、ノイズ抑制処理を実現できるようにする。
【解決手段】非破壊、ランダム読出しができるデバイスを使用する（Ｓ１００）。素子が保持している同一の情報をｍ回読み出し（Ｓ１１４）、その信号のばらつきを計算し（Ｓ１１６）、ばらつきが基準値よりも大きい素子を特定素子と選定する（Ｓ１１８）。特定素子を処理対象として、特定素子が保持している同一の情報に基づく信号をＭ回に亘って読み出し（Ｓ１２６）、Ｍ回の各信号の平均値をとることでノイズが抑制された信号を取得する（Ｓ１２８）。素子が保持している同一の情報に基づくＭ個の信号の平均値をとるので同時性が確保される。ノイズが大きな特定素子を選択して平均化処理を行なうので、解像度が低下することはないし、複数の素子の全てについて平均化処理を行なう場合よりも信号処理負荷を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＤＳによるＡ／Ｄ変換動作として、Ｄ相期間に続けてＰ相期間が設定される場合にも、過大光量が入射されているか否かの判定が的確に行えるようにする。
【解決手段】Ｄ相期間においてＣＤＳ回路のコンパレータの入力を同電位とするＡＺ期間において信号レベルが白レベル側と黒レベル側のいずれであるのかの判定し、信号レベル判定結果として保持する。また、Ｐ相期間のカウントが終了した段階で、カウント値が一定以下であるか否かを判定し、カウント値判定結果として保持する。そして、信号レベル判定結果が白レベルであれば、カウント値判定結果に係わらず過大光量の入射であると判定し、黒レベルであれば、カウント値が一定以上では過大光量の入射である、一定以下では過大光量の入射ではないと判定する。 （もっと読む）

【課題】フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、光によるキャリアのシリコン界面でのトラップ影響を防ぎ、高感度化と画素の微細化を図ることが可能で、しかも十分な駆動能力を有するフ固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置１は、信号読み出し駆動時の電源供給はＹ（縦）方向に隣接する画素トランジスタ１３０を経由して供給する。そして、本固体撮像装置１は、リセットは横方向に接続されたドレインラインＬＤＲＮで駆動パルスＲｓｒＤを供給する。 （もっと読む）

【課題】高感度な撮像素子を用いても、有効な露光時間を減らすことなく撮像素子の温度変化に依らず暗電流ノイズの除去が可能な内視鏡装置を提供する。
【解決手段】生体内に挿入可能な細長の挿入部を備えた内視鏡と、被写体を照明する為の光を照射する光源手段と、撮像素子が駆動される基準条件下での基準ノイズパターンに関する情報を記憶する記憶手段と、撮像素子自体もしくは撮像素子周囲の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段で得た温度情報と前記基準条件下での基準ノイズパターンに関する情報とから温度補正を行って撮像条件下でのノイズパターンを算出するノイズ算出手段と、撮像素子で得た画像信号からノイズパターンを除去するノイズ除去手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、時間経過や実使用条件等に応じてゲイン変動が発生しても、常に正常な増倍ゲインが得られるように電子増倍型の固体撮像素子を駆動することができる固体撮像素子の駆動装置及びその駆動方法を提供することを目的としている。
【解決手段】電子増倍型の固体撮像素子（２０）を所定の増倍ゲインで駆動させたときに測定される映像信号のＯＢ期間のノイズ量と、予め固体撮像素子（２０）を各種の増倍ゲインで駆動させて測定しておいた映像信号のＯＢ期間のノイズ量とに基づいて、固体撮像素子（２０）を駆動する駆動電圧（ＶＤＲＶ）の振幅を補正する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流やＫＴＣノイズの影響によって撮像信号出力のＳ／Ｎを劣化させることなく、グローバルシャッター機能を実現することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のフォトダイオードと第１及び第２の転送トランジスタとメモリとリセットトランジスタと選択トランジスタとからなる画素100 を２次元状に配列した画素アレイ200 と、各画素のリセット・転送・選択トランジスタを制御する垂直走査回路204 と、第１及び第２の水平走査回路203-1 ，203-2 を介して出力される第１及び第２のフォトダイオードの信号の差分をとる差分信号出力手段206 とを備え、全画素の第１のフォトダイオードの一括リセットを行い、所望の露光時間後に第２のフォトダイオードの一括リセットを行い、次いで第１及び第２のフォトダイオードの信号をほぼ同時に読み出し、その差分信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】超高速撮影のための画素周辺記録型撮像素子において、設計上必然的に生じる無駄な空間を利用して、ある閾値以上の信号電荷を一時的に保存する領域を備える撮像素子及び撮影装置を提供する。
【解決手段】これにより、閾値以下の画像信号のみを衝突イオン化増倍により増幅して読み出し、その後、閾値以上の画像信号を増幅することなく読み出す。これにより、大きなダイナミックレンジの超高感度、超高速撮影が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＤ駆動電圧や周囲温度が変動してもＣＭＤ信号増幅率（ゲイン）を一定に保ち、安定な画像信号を得る。
【解決手段】 ＣＭＤ搭載ＣＣＤ撮像素子１と、ＣＭＤに駆動電圧を印加するＣＭＤ駆動回路９とを備え、ＣＭＤの駆動電圧を調節してＣＭＤの信号増幅率（ゲイン）を設定するＣＭＤ搭載ＣＣＤ撮像装置において、ＣＣＤ撮像素子１に蓄積電荷量を制御可能なリファレンス画素列１ｂ、１ｃを設けるとともに、リファレンス画素列１ｂ、１ｃの出力に基づいてＣＭＤの信号増幅率を演算する信号増幅率演算回路７と、ＣＭＤの信号増幅率指令値と信号増幅率演算値とを比較し、演算値を指令値に一致させるためのＣＭＤの駆動電圧を決定し、ＣＭＤ駆動回路９を制御する信号増幅率制御回路７とを備え、ＣＭＤの信号増幅率をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＤの駆動電圧がある値を超えると信号増幅率が急に増大し、駆動電圧に対する信号増幅率のゲインが高くなっても安定な画像信号を得る。
【解決手段】ＣＭＤに駆動電圧を印加する駆動回路４と、ＣＭＤ搭載のＣＣＤを冷却する冷却器５を備え、ＣＭＤの駆動電圧と温度を調節してＣＭＤの信号増幅率を制御し、信号増幅率を高くしても安定な高感度画像を撮像する。 （もっと読む）

光を撮像する方法および装置が開示される。光を収集し、収集した光を電荷信号に変換し、電荷信号を増倍して、関連するレベルの利得を有する複数の電荷信号を生成し、電荷信号を電圧信号に変換し、収集した光を表す電圧信号のうちの１つまたは複数から出力信号を発生させることによって光が撮像される。電荷信号は、複数のタップに関連付けられた電子増倍装置を使用して増倍することができ、異なるレベルの利得を有する電荷信号が生成される。
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