【課題】炭素繊維から放出された電子数に対するアノード電極に到達する電子数の比率の低下を抑制できる炭素繊維装置を提供する。
【解決手段】カソード基板１０と、カソード基板１０上に配置されたカソード電極２０と、カソード電極２０上に配置された炭素繊維１００と、カソード電極２０の配置された領域の残余の領域においてカソード基板１０上に配置されたゲート電極３０と、カソード電極２０及びゲート電極３０の上方に配置された透明のアノード電極４０と、アノード電極４０のカソード基板１０に対向する主面４０ｂ上に配置され、炭素繊維１００から放出された電子の衝突により励起発光する蛍光体膜５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面に配置されるカソード６のゲート５に対向する端部において、凹部７の縁よりゲート５に向かって突起する突起部分を設け、該突起部分の幅方向端部に電界を集中させて電子を放出させる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の不安定性を改善するとともに、より高効率な電子放出特性を有する新規な電子線装置の提供。
【解決手段】 表面に凹部を有する絶縁部材と、前記絶縁部材の、外表面と前記凹部の内表面とに跨って位置する突起部分を有するカソードと、前記絶縁部材の外表面に、前記突起部分と対向して位置するゲートと、前記ゲートを介して前記突起部分と対向して位置するアノードとを有する。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブで構成した３次元構造の長寿命電界放出エミッターを提供する。
【解決手段】広い面が互いに対向して対をなすように配置されている少なくとも二つの電極板と、電極板のそれぞれの両面に形成された炭素ナノチューブと、電極板のそれぞれの一側面が接触された状態で垂直に固定される基板と、基板から離間した状態で並列状に配列され、基板に対向する蛍光体を有するアノード電極と、アノード電極と電極板との間に直流電圧を印加する直流電源と、対をなす電極板のうちのいずれか他の一つに周期的に異なる大きさの電圧を有するパルス波を印加することによって、これらが交互にカソード電極とゲートの役割をなすようにするパルス波供給機とを具備する。 （もっと読む）

【課題】第１絶縁層及び第２絶縁層が積層された構造の安定性を確保して電子放出部のエミッション特性及び電子ビーム集束効率を向上させることが可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】基板１０と，前記基板１０上に，第１絶縁層１２を介在して互いに絶縁状態で配置されるカソード電極１１及びゲート電極１３と，前記カソード電極１１に電気的に連結される電子放出部１６と，前記電子放出部１６を開放させるように，前記電子放出部１６上に形成される集束電極１５と，前記カソード電極１１及び前記ゲート電極１３のなかでいずれか１電極と前記集束電極１５間に配置される第２絶縁層１４とを含み，前記第１絶縁層１２と前記第２絶縁層１４がそれぞれ１μｍ以上の厚さを有し，前記第１絶縁層１２が前記第２絶縁層１４の軟化温度より３０℃以上高い軟化温度を有する。 （もっと読む）

【課題】 炭素ナノチューブエミッタを備える電界放出ディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＮＴエミッタの周りに形成されたゲート積層物が前記ＣＮＴエミッタの周りのエミッタ電極を覆うマスク層、前記マスク層上に順次に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極、第１シリコン酸化膜（ＳｉＯ_Ｘ）（Ｘ＜２）及びフォーカスゲート電極を含み、非晶質シリコンよりなる前記マスク層は、前記ＣＮＴエミッタより高く備わったことを特徴とするＣＮＴ ＦＥＤ及びその製造方法である。前記第１シリコン酸化膜は、２μｍ以上、望ましくは３〜１５μｍの厚さを有する。前記第１シリコン酸化膜及び／または前記ゲート絶縁膜を製造する過程でシラン（ＳｉＨ_４）のフロー率は５０〜７００ｓｃｃｍに保持し、窒酸（Ｎ_２Ｏ）のフロー率は７００〜４,５００ｓｃｃｍに保持する。 （もっと読む）

本発明は、
カソード（２２，３０）と、
孔が電子エミッタ（２９）を含むようにした多孔性の絶縁層（２６，３６）と、
ゲート層と呼ばれる導電層（２８，３８，４８）と、
を有することを特徴とする電界放出デバイスに関する。
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