【課題】本発明は、電子放出を向上し、低コストな電界放出型電子放射源を提供する。並びに、電界放出型電子放射源を備える電子顕微鏡及び電子ビーム露光機を提供する。
【解決手段】絶縁性のベース１２と、ベースに設けられた端子１４と、電子放射陰極１８と、電子放射陰極を把持し、かつ電子放射陰極と端子とを電気的に接続する導電部材１６とを備え、電子放射陰極１８が、板状のダイヤモンドからなり、その一主面に、複数の電子放出部となる突起を有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率の高い電子放出装置を提供する。
【解決手段】本発明における電子放出装置１００は、表面または内部が露出した領域１７を有し、（０００１）面を主面とするSiC基板１１と、基板１１のC面に形成された炭素により構成される電子放出層１２と、領域１７に形成された電極１８とを備える。また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。また、電子放出層１２は、基板１１のC面の一部分に形成され、電極１８は、基板１１のC面の電子放出層１２が形成されていない領域に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、蛍光体色により発生する発光効率及び輝度差を補正すると同時に、駆動回路を簡素化することが可能な電子放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明による電子放出ディスプレイは、互いに対向配置された第１基板及び第２基板と；第１基板に形成されたカソード電極と；カソード電極に電気的に接続された電子放出部と；第１基板に対向する第２基板の一方の面に形成された赤色、緑色及び青色蛍光層と；を備え、カソード電極は、第１基板上に単位画素毎に形成された同じ大きさを有する開口部を含む第１電極と；第１電極から離隔して開口部内に形成された第２電極と；第１電極及び第２電極の間に形成されて第１電極と第２電極とを電気的に接続する抵抗層と；
を含み、赤色、緑色及び青色蛍光層に各々対応する第１電極と第２電極の間の間隔は、赤色、緑色及び青色蛍光層の各発光効率によって決定される。 （もっと読む）

【課題】第１電極に抵抗層を提供して、電子放出部のエミッション特性を均一であるようにしながら、第１電極の有効幅を広くして抵抗増加を減らし、高解像度実現に有利である電子放出デバイスを提供する。
【解決手段】開示された電子放出デバイスは、基板と、基板上に互いに絶縁されて位置するカソード電極及びゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部とを含む。この時、カソード電極は、一側辺に凹部を備えたライン電極と、凹部によって露出された基板上でライン電極と離隔して位置し、電子放出部が置かれるようになる隔離電極と、ライン電極と隔離電極とを電気的に連結させる抵抗層とを含む。 （もっと読む）

【課題】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の面全面から均一に電子が放出するＣＮＴ電子放出基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
開口部を有するメタルマスクに、略垂直に複数のＣＮＴが配設され一体化されてなるＣＮＴ電子放出基板である。カーボンナノチューブはメタルマスクの開口部に配設され一体化されていてもよい。メッキ処理により、ＣＮＴをメタルマスクに配設、一体化させることができる。シリコン基板に垂直方向に成長されてなるＣＮＴにメタルマスクを載置し、メッキ浴中にてメッキ処理を施し、ＣＮＴをメタルマスクに配設、一体化せしめ、しかる後に、シリコン基板を除去することによりＣＮＴ電子放出基板を製造する。ＣＮＴはシリコン基板に成長したものを、メタルマスクに転植するので、ＣＮＴの面の高さが均一であり、電子放出面全面から均一に電子が放出されるという効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】 ナノカーボン先端の電界強度を大きくすることができ、従ってナノカーボン特有の優れた高電流密度耐性や高電界耐性を生かすことができるナノカーボンエミッタと、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基体７と絶縁層８とゲート電極層９とが順次積層され、ゲート電極層９及び絶縁層８を設けた基体７に達する開口部５が設けられ、開口部５内の基体７を開口に向かってメサ形状に突出させたエミッタ下地層６を有し、エミッタ下地層６上にナノカーボン１０を有する。エミッタ下地層６の高さを高くすることによって、ナノカーボン１０先端の電界強度を大きくする。 （もっと読む）

【課題】電流制御機能を搭載することで動作電圧を上昇させずに局所的な大電流を抑え、電流変動を最小限に低減し且つ低コスト化及び大面積化を容易とし、スイッチング用電極をゲート電極とは別に設けて駆動電圧の低下と回路コスト低減を図り、電流制御機能のない従来素子と同様に容易に作製できるようにする。
【解決手段】絶縁性基板１の同一平面上に第１の導電層２と第２の導電層３が半導体薄膜層４により形成されたＴＦＴチャンネルＡを介して互いに直接接触しないように設けられ、該半導体薄膜層上には絶縁層５が設けられ、第２の導電層上には半導体薄膜層と絶縁層のないゲート孔Ｂが設けられ、該絶縁層上のゲート孔周囲にゲート電極層７、チャンネルＡの上側相当部に第３の導電層６が設けられ前記絶縁層５をゲート絶縁層として機能させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に配置される駆動電極にひび割れが生じるのを防止する。
【解決手段】基板２上に一方向に延びて形成される複数の第１電極６と；第１電極を覆うように基板の全面に形成される絶縁層８と；絶縁層上に第１電極と直交する方向に延びて形成される複数の第２電極１０と；第１電極または第２電極のいずれかの電極に接続される電子放出部１４とを含み；第１電極と前記第２電極とが交差する領域において，第１電極の側部と第２電極の側部とが交差する側部交差領域の少なくとも１つの側部交差領域では，第１電極の側部と第２電極の側部が互いに鋭角θ２または鈍角θ１をなして交差するように構成した。このとき，第１電極を一定の幅に形成して第２電極に幅可変側部を設けてもよいし，第２電極を一定の幅に形成して第１電極に幅可変側部を設けるようにしてもよい。 （もっと読む）