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Fターム[5D789AA42]の内容

光ヘッド (64,589) | 目的 (12,827) | 光源の出力増大 (27)

Fターム[5D789AA42]に分類される特許

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【課題】本発明は、半導体レーザの出射光強度を増大させることができる。
【解決手段】本発明は、半導体レーザ51からレーザ光である情報光ビームLMを出射し、情報光ビームLMを集光して光情報記録媒体としての光ディスク100に照射する。このとき光ディスク装置10は、半導体レーザ51に緩和振動を生じさせる振動電流値αでなりパルス状のレーザ駆動電流波DJwを半導体レーザ51に対して供給する。 (もっと読む)


【課題】駆動パルスの直流成分を制御することにより、半導体レーザから短パルスのレーザ光を発生させることを可能にする、レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ13と、この半導体レーザ13を駆動するためのパルス信号S1を発生させる信号発生回路11と、パルス信号S1を増幅する増幅回路12と、この増幅回路12と半導体レーザ13との間に設けられ、パルス信号S1の交流成分は通過させて、パルス信号S1の直流成分の少なくとも一部を除去して、パルス信号S1を制御する、制御回路部21とを含むレーザ装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】薄型のピックアップフレームにおける外力による変形や破損の発生を防ぐとともに、温度変化による光学素子の相対寸法位置ずれの発生を防ぐ。
【解決手段】光ピックアップ装置3において、メインシャフト7が貫通する2つの同芯丸孔形状からなるメイン軸受け6aを有する支持ベース18を合成樹脂で成形する。サブシャフト8が通るサブ軸受け6bを有すると共に発光素子11、ビームスプリッタ12、コリメートレンズ13及び受光素子17等を支持する光学ベース19を金属ダイカストで成形する。支持ベース18と光学ベース19を接着剤にて一体化してピックアップフレーム6を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザの出射周期を自在に調整できるようにする。
【解決手段】本発明は、半導体レーザ3からパルス状のレーザ光LLであるパルス光を出射し、パルス信号SLに基づいて生成され、パルス状の駆動電圧パルスDJwでなるレーザ駆動電圧DJを半導体レーザ3に対して印加する。このとき短パルス光源51は、駆動電圧パルスDJwの間隔である電圧周期TVを変動させて、パルス信号SLにおける生成信号パルスSLwの間隔である周期TSを変動させる。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザの出射光強度を増大させる。
【解決手段】半導体レーザからレーザ光である情報光ビームLMを出射し、情報光ビームLMを集光して光情報記録媒体としての光ディスクに照射する。このとき光ディスク装置は、半導体レーザに緩和振動を生じさせる振動電流値αでなりパルス状のレーザ駆動電流波DJwを半導体レーザに対して供給する。 (もっと読む)


【課題】適正な光量でメインビーム又はサイドビームを光ディスクに照射することが可能な光ディスク装置、レーザー光調整方法及びプログラムを提供すること。
【解決手段】1の発光部112から照射されたレーザー光から分割され、光ディスクで反射した1のメインビームと複数のサブビームを受光する受光部120と、受光部におけるメインビームの光量とサイドビームの光量の光量比を算出する光量比算出部152と、光量比に基づいて発光部から照射されるレーザー光の総光量の出力設定値を変更する出力設定値変更部154とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の高放熱性と薄型化を実現すると共に、光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】円柱の一部に半導体素子22の搭載部となる平面部が設けられる形状のステム24に半導体素子22を搭載し、ステム24をキャップ25に円柱部が接するように挿入、密封封止する構成とし、半導体素子22を搭載できる程度の搭載部の幅としてステム24の円柱形をできるだけ小さくすることにより、半導体装置100の高放熱性と薄型化を実現すると共に、光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置の小型化を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】エッチング深さの制御性を向上させてリッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板101上に、バッファ層102と、第一下クラッド層103と、エッチング開始層104と、第二下クラッド層105と、活性層107と、上クラッド層109とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。第一フォトマスクを用いて半導体層111〜105のエッチングを行って、モニタ領域108でエッチング開始層104を露出させる。第二フォトマスク116を用いて半導体層111〜109aのドライエッチングを、第二エッチングモニタ用開口部118を通して上記ドライエッチングの進行を観測しながら行い、第一下クラッド層103の消失に応じた所定のタイミングで上記ドライエッチングを停止させる。 (もっと読む)


【課題】レーザ出力を精度よく制御する。
【解決手段】レーザ3から出射され、光ディスク1に照射されるレーザ光のパワーを、アッテネータ4により減衰させる。制御用マイクロコンピュータ19は、アッテネータ4により減衰させる場合におけるレーザ光の強度を、減衰させない場合におけるレーザ光の強度の目標値にするためのレーザ出力であって、このレーザ出力が基準範囲に収まるように、レーザ光の強度をアッテネータ4により減衰させる場合におけるレーザ出力を制御する。これにより、光ディスクからの反射光により生じる雑音(RIN)の発生を抑えるとともに、光ディスク1に対する情報の記録および再生に最適なレーザ強度において、光ディスク1にレーザ光を照射させることができる。 (もっと読む)


【課題】製造誤差を示す校正係数を用いて、所定の照射パワーのレーザ光を得るためのレーザ駆動回路への設定値を演算することができるようにする。
【解決手段】本発明に係るレーザ駆動回路16を備える光ディスク装置1においては、レーザダイオード8がレーザ光を発光し、フロントモニタ・フォトダイオード9が発光されるレーザ光を受光し、受光信号を生成し、レーザ駆動回路16のAPC部が、生成された受光信号と、発光されるレーザ光において予め設定された照射パワーに関する目標値とを比較し、目標値に一致するようにレーザダイオード8の駆動を制御し、CPU27は、少なくとも1以上の校正係数を用いて、受光信号を目標値に一致させるための設定値を演算する演算する。 (もっと読む)


【課題】同一基板上に、共振器長の異なる複数の半導体レーザ素子部を形成する。
【解決手段】半導体基板101上の第1素子形成領域に、エッチング促進層113、第1n型クラッド層102、第1活性層103、第1p型クラッド層104を堆積して第1積層構造を形成し、第2素子形成領域に、第2n型クラッド層108、第2活性層109、第2p型クラッド層110を堆積し、劈開により、第2素子形成領域上に両端面に反射鏡を有する第2レーザ素子部121を形成するとともに、第1素子形成領域上に、片面に反射鏡、他面に端面を有する第1レーザ素子部素材部を形成し、第1レーザ素子部素材部の端面から所定深さ、エッチング促進層113を除去し、その除去されたエッチング促進層113があった領域上にある第1積層構造の部分を劈開によって除去し、共振方向の長さが第2レーザ素子部121よりも短い第1レーザ素子部120を形成する。 (もっと読む)


【課題】高発振効率で低消費電力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第1導電型半導体基板上に順次積層された第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型のAl含有第1上クラッド層、ストライプ状リッジ形状の第2導電型の第2上クラッド層、および第2導電型コンタクト層を含むリッジ導波型半導体レーザ素子であって、第1上クラッド層の電子親和力がχ1で禁制帯幅がEg1であり、コンタクト層の電子親和力がχ2で禁制帯幅がEg2であるきに、第1導電型がn型で第2導電型がp型の場合には(χ1+Eg1)>(χ2+Eg2)の関係を満たし、第1導電型がp型で第2導電型がn型の場合にはχ1<χ2の関係を満たし、リッジ直下を除く領域には第1上クラッド層の表面酸化で形成された酸化物層が設けられており、リッジ頂部のコンタクト層、リッジ側面、および酸化物層の上に連なって直接被覆している金属電極層を備える。 (もっと読む)


【課題】光ピックアップ装置の小型化に伴い、光源からの発熱を効率的に冷却できる構成が困難である。
【解決手段】光学基台401と、折り曲げミラー402と、複数波長一体化光集積ユニット406と、放熱板407とを備え、折り曲げミラー402を用いレーザー光の光路の向きを変え、複数波長一体化光集積ユニット406および放熱板407を光学基台401上のトラバースカバー411の開口部に配することにより、光ディスクの回転によって生じる風を有効的に利用し、数波長一体化光集積ユニット406から発生する熱を効率良く冷却することが可能となるので、放熱部材を削減できるため低価格かつ高出力発光時に温度変化に対して安定した性能の光ピックアップ装置が実現できる。 (もっと読む)


【課題】従来よりも放熱性が向上した半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子1は、ステム3に保持され、ワイヤ5を介して外部からの電流が供給される。このワイヤの材質の組成は99%以上が銅となっている。 (もっと読む)


【課題】次世代DVDを含めた互換性を有する光情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】記録及び再生を行う第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの波長以上の波長を放射し再生のみを行う第2の半導体レーザと、を備え、前記第2の半導体レーザは、光ディスク再生時の最小T(Tは1チャンネルピット長の時間幅)を2以上の整数で除算した数値より小なるクロック周期によりパルス駆動されることを特徴とする光情報記録再生装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ドライブ周波数特性を損なうことなく、発熱を低減させること。
【解決手段】レーザ駆動回路のブースター回路2の増幅段を構成するトランジスタQ1,Q2のエミッタをそれぞれのエミッタ抵抗Re1,Re2を介して共通にし、この共通エミッタ側からレーザダイオードLDを駆動する駆動電流を出力する。これにより、ブースター回路2の増幅段の容量を増加させないで済むため、周波数特性を悪化させないようにすることができる。それと共に、エミッタ電流が全てLDに流れるため、損失が少なく、その分、ブースター回路2の発熱を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】インクジェットプリンターのヒーターベースや次世代DVDドライブの半導体レーザーピックアップベース材として使用可能な、熱伝導率の異方性が小さく高い熱伝導性を有する熱伝導性樹脂組成物の提供。
【解決手段】塊状もしくは球状の黒鉛微粉またはこれらの混合物と樹脂とを含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物。黒鉛微粉としては、平均粒径(D50)が1〜100μmであることが好ましい。また、樹脂としては、耐熱性樹脂が好ましい。 (もっと読む)


【課題】光ディスク上の傷や指紋等の物理的な異常状態の存在箇所でも再生RF信号の信号品質の低下を防止可能な光ディスク記録再生装置を提供する。
【解決手段】光ディスク1上の物理的な異常状態を例えばピーク・ボトム検出回路10からの再生RF信号の信号レベルの変化によりシステム制御部8が検知すると、物理的な異常状態の存在箇所に情報の記録再生動作を行う際に、光ピックアップ5からの発光レーザパワーを上昇させる信号を光パワー制御部14に出力すると共に、フォーカス及びトラッキングのサーボをホールド状態に切替える信号をサーボ回路4に出力する一方、物理的な異常状態の存在箇所への記録再生動作の継続中に、前記ホールド状態の継続が予め定めた一定時間を超えた場合、及び/又は、再生RF信号の信号レベルが合焦状態を示すために予め定めた一定の閾値よりも低下した場合、サーボのホールド状態からサーボオン状態に復帰させる。 (もっと読む)


【課題】 DVDの情報再生方法を検討し、追記可能な二層構造のDVD±Rの約1/3の反射率しか有しない二層構造のDVD±RWの情報再生を可能とした再生方法及び再生装置を提供する。
【解決手段】 光ピックアップ装置42からの信号VA、VB、VC、VDは可変利得アンプ(VGA)66によって、任意にゲイン倍される。このゲインGinpdはCPU53からの指示によって設定することが可能となっており、INPDGコントロール信号によって設定できる。フォーカスエラー信号はFE演算回路61によって、FE=Ginpd×[(A+C)−(B+D)]の演算が行われる。トラックエラー信号はTE演算回路62によって、TE=Ginpd×[(B+C)−(A+D)]の演算が行われる。総和信号はSUM演算回路63によって、SUM=Ginpd×(A+B+C+D)の演算が行われる。 正規化回路は、AGCCNT回路64とVCA65から構成される。 (もっと読む)


【課題】 高出力でありながら、信頼性が高く温度特性が良好な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、活性層と当該活性層を挟持する2つのクラッド層とを含み、いずれかのクラッド層がメサ状のリッジを形成しており、リッジが、少なくとも2本以上に分岐する導波路領域を備える。この構成によって、後端面部の活性層への注入キャリア密度が低減されるため、半導体レーザの温度特性を向上させることが可能になる。また、リッジの底部の幅が、連続的に変化している領域を含むが、リッジの底部の幅は、前記端面近傍付近で一定である。 (もっと読む)


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