説明

Fターム[5E034CC01]の内容

サーミスタ、バリスタ (5,260) | バリスタの抵抗材料、組成 (360) | 金属酸化物系 (326)

Fターム[5E034CC01]の下位に属するFターム

Fターム[5E034CC01]に分類される特許

1 - 20 / 21


【課題】コモンモードフィルタとESD保護素子との接続不良を防止し、静電気吸収性能を改善する。
【解決手段】複合電子部品100は、基板11と、基板11上に設けられた機能層12と、機能層12上に設けられたバンプ電極13a〜13fと、磁性樹脂層14とを備えている。機能層12は、スパイラル導体20,21を含むコモンモードフィルタ層12Aと、複数のESD保護素子を含むESD保護層12Bとを備えている。ESD保護層12Bは、各ギャップ電極34A〜34Dの端子電極部37及びグランド電極部38の表面には、めっき電極からなる端子電極コンタクト39及びグランドコンタクト40がそれぞれ形成されている。端子電極コンタクト39及びグランドコンタクト40は、無機絶縁層36を貫通して、コモンモードフィルタ層12A及び対応するバンプ電極13a〜13fにそれぞれ接続されている。 (もっと読む)


【課題】 内部電極層とセラミック層との間での剥離を抑制できる電子部品を提供する。
【解決手段】 セラミック層5と、金属7aとセラミック粒子7bとを含む内部電極層7とが交互に複数積層されてなる電子部品本体1を具備する電子部品であって、平面視したとき、前記セラミック粒子7bが前記内部電極層7の周辺領域7Bよりも中央領域7Aに多く存在している。 (もっと読む)


【課題】内部電極の積層ズレに対しバラツキが小さく、かつ調整可能で、積層工程を簡素化できる積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】第1の内部電極14の先端部の幅と第1の内部電極14の先端部に対向する部分の第2の内部電極15の幅とを異ならせ、第2の内部電極15の先端部の幅と第2の内部電極15の先端部に対向する部分の第1の内部電極14の幅とを異ならせるとともに、第1の内部電極14と第2の内部電極15とは同一のパターンを用いて形成された積層セラミック電子部品。 (もっと読む)


【課題】静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成され、5kV以上の保護電圧を得ることが可能な複合電子部品を提供する。
【解決手段】複合電子部品100は、第1及び第2の磁性基体11a、11bと、それらの間に挟まれた機能層12とを備え、機能層12はコモンモードフィルタ層12aと静電気対策素子層12bによって構成されている。静電気対策素子の静電容量は0.35pF以下である。コモンモードフィルタ層12aは、絶縁層16b上に形成された第1のスパイラル導体17と、絶縁層16c上に形成された第2のスパイラル導体18とを備え、コモンモードフィルタの直流抵抗は0.5Ω以上5Ω以下であり、静電気対策素子の静電容量は0.35pF以下である。さらに第1及び第2のスパイラル導体17,18の幅W及び長さLは、√(L/W)<(7.6651−fc)/0.1385で表される関係式を満たしている。 (もっと読む)


【課題】静電容量が小さく且つ放電特性に優れた静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成された小型で高性能な複合電子部品を提供する。
【解決手段】複合電子部品100は、第1及び第2の磁性基体11a、11bに挟まれたコモンモードフィルタ層12a及び静電気対策素子層12bによって構成されている。コモンモードフィルタ層12aは互いに磁気結合されたスパイラル導体17,18を備えている。静電気対策素子層12bは、下地絶縁層27の表面に形成されたギャップ電極28,29と、ギャップ電極28,29を覆う静電気吸収層30とを備えている。ギャップ電極28,29は、磁性基体11aの表面に下地絶縁層27を介して形成されている。静電気吸収層30は低電圧放電タイプの静電気保護材料として機能し、静電気などの過電圧が印加された際に、この静電気吸収層30を介して電極間で初期放電が確保される。 (もっと読む)


【目的】速い応答速度を有し、自動的にくり返し使用可能な対サージ防御装置とその作製方法を提供する。
【解決手段】高抵抗被膜を金属棒の表面を酸化することによって形成する方法において、まず複数の金属棒を接触し、一体化するための第1の酸化を行い、次に複数の金属棒全体上に高抵抗被膜を形成する第2の酸化を行う。通常第1の酸化と第2の酸化の条件は異なるが同一でもよい。この工程によって、複数の金属棒は高抵抗被膜を介して一体に接続され、かつ金属棒全体の上に高抵抗被膜を有する構造が形成される。次にこの金属棒全体の両端に電極をはんだあるいは導電性接着材によって接続し、対サージ防御装置の主構成物とする。組み立てが容易な金属棒の数は2〜4本を、導電性材料を介して、電気的に直列に接続すれば、より大きな電気抵抗と動作電圧を有する避雷器が作製され、より広範囲の用途に対応できる。金属はモリブデンが望ましい。 (もっと読む)


【課題】生産性及び経済性に優れ、さらなる薄膜化を実現可能な、静電気対策素子の製造方法等を提供すること。
【解決手段】相互に離間して対向配置された導電性無機材料からなる電極21,22を絶縁性基板11上に有するギャップ型電極搭載基板1を準備し(S11)、このギャップ型電極搭載基板1の電極21,22の間に絶縁性無機材料を含有する薄膜30を形成した後(S12)、これら電極21,22間に電圧を印加して(S13)、機能層31を形成する(S21)。 (もっと読む)


【課題】外部電極に端子電極がめっき形成されるときに、多孔質素体の表面へのめっき付着を十分に抑止でき、製品の信頼性低下を防止することが可能な積層電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】積層電子部品1は、セラミックスからなり複数の空孔を有する多孔質素体2と、多孔質素体2内に形成された複数の内部電極3とを含む積層体4を有するPTCサーミスタであり、多孔質素体2と内部電極3が積層された単位構造10を少なくとも1つ備えたものである。内部電極2には、外部電極5,5が接続されており、更にその上に端子電極7,7がめっきにより形成されている。多孔質素体2の複数の空孔には、付加重合型の樹脂が充填されている。 (もっと読む)


【課題】熱を効率良く放散することが可能なサージ吸収素子を提供すること。
【解決手段】サージ吸収素子SA1は、第1及び第2の主面11,12を含むと共に、電気絶縁性材料(例えば、ガラス物質)からなる素体10と、所定のギャップを有して素体10の第1の主面11に配置された第1及び第2の電極20,30と、素体10より熱伝導率が高く且つ素体10の第2の主面12と熱的に接続されるように配置された放熱部40と、を備えている。放熱部40は、金属(例えば、Ag)及び金属酸化物(例えば、ZnO)の複合材料からなる。 (もっと読む)


【課題】小型化の要望に応えることが可能でありながら、セラミクス半導体層の保護を十分に図ることができる積層型半導体セラミクスを提供する。
【解決手段】バリスタ1は、セラミクス半導体層61を有する積層体3と、積層体内に埋設され、セラミクス半導体層を挟むように対向配置される少なくとも一対の内部電極5、7と、積層体の外表面に設けられるとともに内部電極の対応するものに電気的に接続される少なくとも一対の外部電極15、17と、積層体内の少なくとも表面に形成される高抵抗層91と、積層体内の外表面と内部電極との間に埋設された少なくとも一つのブロック層71、73、75及び77とを備えている。 (もっと読む)


表面に気孔が形成され、あらかじめ焼成された絶縁セラミックベースと、前記絶縁セラミックベース上に接合された電気的特性を有する機能性セラミックシートを含み、前記接合は、前記機能性セラミックシートに対応するグリーンシートを前記絶縁セラミックベース表面に積層して等温等圧で圧着し、前記グリーンシートが前記気孔に浸入し、アンカーリングされることによって物理的に接合し、前記グリーンシートがアンカーリングされた状態で、焼成により前記グリーンシート内の機能性酸化物物質が固体拡散により前記絶縁セラミックベースに浸透し、拡散接合層を形成することによって化学的に接合することによりなるセラミック部品要素が開示される。 (もっと読む)


【課題】バリスタを備える抵抗性メモリ素子を提供する。
【解決手段】下部電極配線40、下部電極配線と交差する上部電極配線46、及び上部電極配線と下部電極配線との間の交差部分に備えられた積層物を備え、積層物は、バリスタ42と抵抗体44とを備える。該バリスタと抵抗体は、下部電極配線上に上部電極配線に向けて順次に積層されてもよく、上部電極配線下に下部電極配線に向けて順次に積層されてもよい。バリスタとデータ保存層との間には、フローティング電極をさらに備えることもできる。 (もっと読む)


【課題】 過電圧状態について多くの利点をもたらすことが可能である過電圧保護装置を提供する。
【解決手段】 第1及び第2の導電性電極部材120,130と、バリスタ材料から形成され、前記第1及び第2の導電性電極部材の各々に電気的に接続されるバリスタ部材110と、導電性の可溶部材180とを備えている過電圧保護装置100であって、可溶部材は、保護装置内の熱に反応して溶融し、可溶部材を介して第1及び第2の導電性電極部材間に電流流路を形成している過電圧保護装置。 (もっと読む)


【課題】 従来型コヒーラを雷や強電力電路開閉時に生じる強電力サージ電流放電用に用いると、初期絶縁性は高いものの、コヒーラ自体が容易に焼損したり、一方でデコヒーア困難性が生じる傾向があり、使いづらいという問題点があった。
【解決手段】 そこで本発明者は、酸化物皮膜を有する金属粉末を電極間に介在させる従来型コヒーラでは、強大なサージ電力に対して安定したコヒーラ特性(短絡と開放)を期待する事が出来ない事を知り、種々実験探索の結果、半導体特性を持つ材料を、期待通りの特性を備え、自己デコヒーアする強電力サージ対応のコヒーラ型サージアブソーバを提供できる事を見出した。
更に圧密度を変化させる事により、コヒーラ特性(特に初期特性)を広範囲に変化させ得ることから、本発明では上記諸条件に加えて圧密度を変数とする各種用途の多変数コヒーラ型サージアブソーバを提供可能とした。 (もっと読む)


【課題】 バリスタ電圧を越える高い電圧のノイズが入力に印加された際に、バリスタ効果によって急激に流れた電流がノイズとなって通過するのを防止することができる積層型フィルタを提供する。
【解決手段】 積層型フィルタは、積層体2内にインダクタ部10及びバリスタ部20を備えており、インダクタ部10は、4Ω〜100Ωの直流抵抗を有している。これにより、バリスタ電圧を越える高い電圧のノイズが入力に印加された際に、バリスタ効果によって急激に流れた電流がノイズとなって通過するのを阻止することができる。 (もっと読む)


【課題】接合材の盛り上がりを生じることなく、バリスタ素子の電極に対し、タブを、強固に接合したリングバリスタを提供すること。
【解決手段】
バリスタ素子40と、タブ51〜53とを含む。バリスタ素子40は、リング状のバリスタ素体41の少なくとも一面に電極42〜44を有する。タブ51〜53は、面内に切欠部(貫通スリット、貫通孔等)511〜531を有しており、切欠部511〜531に供給された接合材21〜3により、バリスタ素子40の電極42〜44に接合されている。 (もっと読む)


【課題】 主面に引き出された複数の電極部を有する集合基板を、容易に且つ寸法精度良く製造することができる集合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 集合基板を製造する場合は、まず複数枚のグリーンシートを用意し、内部電極3をグリーンシートの表面に形成する。続いて、複数枚のグリーンシートを重ねて、シート積層体11を形成する。続いて、シート積層体11の積層方向に平行で且つ内部電極3の延在方向に垂直な方向にシート積層体11を薄く切断することにより、複数の帯状積層ブロック体12を形成する。続いて、帯状積層ブロック体12の切断面が上下面となるように各帯状積層ブロック体12を横に倒し、各帯状積層ブロック体12の側面12a同士を合わせるように各帯状積層ブロック体12を並べる。その状態で、静水圧処理により各帯状積層ブロック体12を一体化させた後、焼成を行う。 (もっと読む)


【課題】 素子単体についても静電サージ対策を講じ、個々の素子を取り扱う作業者にも安全な電子回路装置を提供する。
【解決手段】 基板上に、少なくとも一対の電極を持つ電子素子が形成されている。この基板上に、さらに、一対の電極とバリスタ絶縁膜とを含むバリスタ素子が形成されている。バリスタ素子の一対の電極にサージ電圧が印加されると、バリスタ絶縁膜を通してサージ電流が流れる。電子素子の一方の電極とバリスタ素子の一方の電極とが相互に接続され、電子素子の他方の電極とバリスタ素子の他方の電極とが相互に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 製造工程を単純化し製作原価を節減するのみならず、ノイズ除去の効果に優れ、バリスタの役割が果たせる多連バリスタ−ノイズフィルター複合素子を提供する。

【解決手段】 多連バリスタ−ノイズフィルター複合素子は、複数のバリスタ誘電体層が積層されたバリスタ−ノイズフィルター複合素子において、それぞれに接地端子接続部を有する接地パターンが形成された多層の接地誘電体層と、前記接地誘電体層の間に積層され、入力端子接続部と出力端子接続部とを有するインダクターパターンが形成された多層のインダクター誘電体層と、前記各接続部に連結された入出力及び接地端子を備えて構成される。 (もっと読む)


定格標準電圧以上の高周波ノイズが、電気電子システムの電源ラインあるいは信号ラインを介して入るときに、当該ノイズを効果的に除去することができる急激なMIT素子を用いた電気電子システム保護回路及びその保護回路を含む電気電子システムを提供する。その電気電子システム保護回路は、ノイズから保護されるべき電気電子システムに並列連結される急激な金属−絶縁体転移素子(abrupt Metal−Insulator Transition device:以下、「急激なMIT素子」という。)を備える。電気電子システム保護回路は、定格標準電圧以上の電圧が印加されるときに発生するノイズ電流の大部分を急激なMIT素子側にバイパスさせることによって、電気電子システムを保護する。
(もっと読む)


1 - 20 / 21