【課題】本発明は、低電流で動作させることができる回路保護素子を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の回路保護素子は、エレメント部１４の互いに対向する側面１４ａから前記エレメント部１４の中心方向に向かって交互にレーザ照射して複数の溶断部形成用トリミング溝１５ａ〜１５ｄを形成することにより設けられた溶断部１６と、前記エレメント部１４における前記複数の溶断部形成用トリミング溝１５ａ〜１５ｄよりも外側の箇所にレーザ照射することにより形成された２つの抵抗値調整用トリミング溝１７とを備え、下地層１３に切欠部１８を２箇所形成するとともに、前記切欠部１８および抵抗値調整用トリミング溝１７をそれぞれ溶断部１６に対して点対称に形成し、さらに前記抵抗値調整用トリミング溝１７を前記切欠部１８の内部に形成するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】溶断動作の応答性がよく、信頼性の高いヒューズ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の表面に、所定の温度で溶断する可溶体１４が形成され、可溶体１４を覆って高融点ガラスの粒子を有したガラスグレーズ層１６を備える。ガラスグレーズ層１６を覆って保護層１８が形成されている。可溶体１４の両端部にはニッケルメッキ層と半田メッキ層が形成された端子電極２０を有する。保護層１８は、ガラスグレーズ層１６のガラスの軟化点以下の温度で軟化する材料から成る。 （もっと読む）

【課題】フロー法またはリフロー法はんだ付け温度よりも低い温度を動作温度と死するサーモプロテクタをフロー法またはリフロー法により他の電子部品と同様に実装できるサーモプロテクタを提供する。
【解決手段】比抵抗が正温度特性の半導体セラミックス粒子ａと抵抗体粒子ｂとを、所定の温度で融解するバインダーｃで結合してなる通電性感熱材を可溶材とする。周囲温度が上昇すると、バインダーの溶融開始点よりも低いある特定の温度を境として半導体セラミックス粒子の比抵抗値が指数関数的に増加し、その結果、抵抗体粒子を流れる電流の密度が飛躍的に増加し、抵抗体粒子のジュール発熱により通電性感熱可溶材が加熱されてバインダーが溶融され、バインダーが液状化される。而して、通電性感熱可溶材のバインダーの融点乃至軟化点をフロー法またはリフロー法はんだ付け温度より高く設定することにより、サーモプロテクタをフロー法等で支障なく実装できる。 （もっと読む）